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合作成果数:5
吴健初
合作成果数:4
Du, An-Tian
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Huang, Hua
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Liu, Ruo-Tao
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Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially gr..
[693]
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Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs..
[589]
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Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-..
[290]
4.
The impact of
P
-type doping level and profile on performanc..
[231]
5.
Strain distribution in the active region of InAs-based interband c..
[209]
6.
Automated wavefunction identification and performance prediction f..
[16]
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Effect of As2 flux on the growth of InAs/InGaAs dot-in-well struct..
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Automated wavefunction identification and performance prediction f..
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Liu, Ruo-Tao.,Wang, Kun.,Wu, Jian-Chu.,Yang, Chen.,Huang, Hua.,...&Gong, Qian.(2025).Effect of As2 flux on the growth of InAs/InGaAs dot-in-well structure by molecular beam epitaxy.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
,663.
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Wang, Kun.,Yang, Chen.,Liu, Ruo-Tao.,Du, An-Tian.,Cao, Chun-Fang.,...&Gong, Qian.(2025).Automated wavefunction identification and performance prediction for interband cascade lasers using neural networks.
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
,58(19).
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[3]
Liu, Ruo-Tao.,Du, An-Tian.,Cao, Chun-Fang.,Yang, Jin.,Wu, Jian-Chu.,...&Gong, Qian.(2024).The impact of
P
-type doping level and profile on performance of InAs quantum dot lasers.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
,136(22).
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Wu, Jian-Chu.,Liu, Ruo-Tao.,Du, An-Tian.,Wang, Kun.,Cao, Chun-Fang.,...&Gong, Qian.(2024).Strain distribution in the active region of InAs-based interband cascade laser.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
,135(24).
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[5]
Lin, Si-Wei,Yan, Jin-Yi,Zhao, Xu-Yi,Yu, Wen-Fu,&Gong, Qian.(2022).Composition measurement of fully-strained epitaxial InxGa1-xAsyP1-y/InP layer by temperature dependent X-ray diffraction.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
,599.
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Deng, Zhuo.,Chen, Baile.,Chen, Xiren.,Shao, Jun.,Gong, Qian.,...&Wu, Jiang.(2018).Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate.
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY
,90,115-121.
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Zhou, Yue-Guang,Zhou, Cheng,Cao, Chun-Fang,Du, Jiang-Bing,Gong, Qian,&Wang, Cheng.(2017).Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge.
OPTICS EXPRESS
,25(23),28817-28824.
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