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Effect of 5 MeV proton irradiation on electrical and trap characteristics of β-Ga2O3 power diode 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2025, 卷号: 187
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Yang, Ge
Adobe PDF(6465Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：316/4  |  提交时间：2024/11/29
AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing 期刊论文
APL MACHINE LEARNING, 2024
作者:  Chen JX(陈嘉祥);  Du HT(杜海涛);  Qu HL(屈昊岚);  Gao H(高涵);  Gu YT(顾怡恬)
Adobe PDF(8964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：197/10  |  提交时间：2024/09/13
Reliable electrical performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diode at cryogenic temperatures 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A: VACUUM, SURFACES AND FILMS, 2024, 卷号: 42, 期号: 2
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Chen, Jiaxiang
Adobe PDF(3333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：349/4  |  提交时间：2024/02/23
Relaxation kinetics of interface states and bulk traps in atomic layer deposited ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 8
作者:  Chen, Jiaxiang;  Qu, Haolan;  Sui, Jin;  Lu, Xing;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(3256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：412/52  |  提交时间：2024/03/22
Electrical Characterization of β-Ga2O3 Power Diodes for Cryogenic Temperature Applications 会议论文
2024 THE 18TH NATIONAL CONFERENCE ON MOCVD (MOCVD)
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhu, Yitai;  Lu, Xing;  Zhang, David Wei
收藏  |  浏览/下载：178/0  |  提交时间：2024/12/01
Temperature-Dependent Electrical and Trap Properties of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes w/o homoepitaxial layer 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS (APWS)
作者:  Chen, Jiaxiang;  Qu, Haolan;  Du, Haitao;  Gao, Han;  Lu, Xing
收藏  |  浏览/下载：175/0  |  提交时间：2024/12/01
Investigation of interface and bulk traps in ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 会议论文
2024 THE 18TH NATIONAL CONFERENCE ON MOCVD (MOCVD)
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Sui, Jin;  Zhu, Yitai;  Lu, Xing
收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2024/12/01
Radiation effects of high-fluence reactor neutron on Ni/β-Ga2O3 Schottky barrier diodes 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 124, 期号: 1
作者:  Zhou, Leidang;  Chen, Hao;  Xu, Tongling;  Ruan, Jinlu;  Lai, Yuru
Adobe PDF(1Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：232/34  |  提交时间：2024/03/04
Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Yu Zhang;  Xing Lu
Adobe PDF(4177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：288/0  |  提交时间：2024/04/06
GaN Nanowire n-i-n Diode Enabled High-performance UV Machine Vision System 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-6
作者:  Haitao Du;  Yu Zhang;  Junmin Zhou;  Jiaxiang Chen;  Wenbo Ye
Adobe PDF(1079Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：251/2  |  提交时间：2024/06/24
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