AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing

doi:10.1063/5.0194083

	AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing
	Chen JX(陈嘉祥)1 ; Du HT(杜海涛)1 ; Qu HL(屈昊岚)1 ; Gao H(高涵)1 ; Gu YT(顾怡恬)1 ; Zhu YT(朱一泰)1 ; Ye WB(叶文博)1 ; Zou J(邹军)2; Wang HZ(王宏志)3; Zou XB(邹新波)1
	2024-04
发表期刊	APL MACHINE LEARNING
ISSN	2770-9019
发表状态	已发表
DOI	10.1063/5.0194083
收录类别	SCIE
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/418525
专题	信息科学与技术学院_博士生信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组信息科学与技术学院_硕士生
共同第一作者	Du HT(杜海涛)
通讯作者	Zou XB(邹新波)
作者单位	1.上海科技大学 2.上海应用技术大学 3.东华大学
第一作者单位	上海科技大学
通讯作者单位	上海科技大学
第一作者的第一单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen JX,Du HT,Qu HL,et al. AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing[J]. APL MACHINE LEARNING,2024.
APA	Chen JX.,Du HT.,Qu HL.,Gao H.,Gu YT.,...&Zou XB.(2024).AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing.APL MACHINE LEARNING.
MLA	Chen JX,et al."AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing".APL MACHINE LEARNING (2024).