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| Temperature-Dependent Electrical and Trap Properties of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes w/o homoepitaxial layer | |
| 2024 | |
| 会议录名称 | THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS (APWS)
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| 发表状态 | 已发表 |
| 会议名称 | The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/449619 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_博士生 信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组 信息科学与技术学院_硕士生 |
| 通讯作者 | Zou, Xinbo |
| 作者单位 | 1.Shenzhen Pinghu Laboratory 2.ShanghaiTech University 3.Sun Yat-sen University |
| 第一作者单位 | 上海科技大学 |
| 通讯作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, Jiaxiang,Qu, Haolan,Du, Haitao,et al. Temperature-Dependent Electrical and Trap Properties of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes w/o homoepitaxial layer[C],2024. |
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