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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT 期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:  Yitai zhu;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu;  Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：90/1  |  提交时间：2025/03/07
Effect of 5 MeV proton irradiation on electrical and trap characteristics of β-Ga2O3 power diode 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2025, 卷号: 187
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin
Adobe PDF(6465Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：327/4  |  提交时间：2024/11/29
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 358-364
作者:  Yu Zhang;  Renqiang Zhu;  Haolan Qu;  Yitian Gu;  Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：308/0  |  提交时间：2024/06/11
ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究 会议论文
第一届氧化镓技术与产业研讨会
作者:  陈嘉祥;  屈昊岚;  睢金;  卢星;  邹新波
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2025/04/02
AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing 期刊论文
APL MACHINE LEARNING, 2024, 卷号: 2, 期号: 2
作者:  Chen JX(陈嘉祥);  Du HT(杜海涛);  Qu HL(屈昊岚);  Gao H(高涵);  Gu YT(顾怡恬)
Adobe PDF(8964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：202/10  |  提交时间：2024/09/13
Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:  Zhu, Yitai;  Zhang, Yu;  Qu, Haolan;  Gao, Han;  Du, Haitao
Adobe PDF(4805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：329/3  |  提交时间：2024/06/11
Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Yu Zhang;  Xing Lu
Adobe PDF(4177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：300/0  |  提交时间：2024/04/06
Reliable electrical performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diode at cryogenic temperatures 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A: VACUUM, SURFACES AND FILMS, 2024, 卷号: 42, 期号: 2
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Chen, Jiaxiang
Adobe PDF(3333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/4  |  提交时间：2024/02/23
Relaxation kinetics of interface states and bulk traps in atomic layer deposited ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 8
作者:  Chen, Jiaxiang;  Qu, Haolan;  Sui, Jin
Adobe PDF(3256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：426/55  |  提交时间：2024/03/22
Electrical Characterization of β-Ga2O3 Power Diodes for Cryogenic Temperature Applications 会议论文
2024 THE 18TH NATIONAL CONFERENCE ON MOCVD (MOCVD)
作者:  Qu, Haolan;  Chen, Jiaxiang;  Zhu, Yitai;  Lu, Xing;  Zhang, David Wei
收藏  |  浏览/下载：186/0  |  提交时间：2024/12/01
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