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| 用于节能内存计算(CIM)的低温准静态嵌入式DRAM(CQS-eDRAM) 专利
申请号:US18914284，申请日期: 2025-06-19，类型:发明申请，状态:公开
发明人: Yuhao Shu ; Hongtu Zhang; Yajun Ha
 Adobe PDF(1434Kb) |  收藏 | 浏览/下载：21/2 | 提交时间：2025/06/20 |
| 面向高能效存内计算的低温准静态嵌入式DRAM 专利
申请号:WOCN24082165，申请日期: 2025-06-19，类型:发明申请，状态:进入国家阶段-PCT有效期内
发明人: Shu, Yuhao; Zhang, Hongtu; Ha, Yajun
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2025/06/20 |
| eCIMC: A 603.1-TOPS/W eDRAM-Based Cryogenic In-Memory Computing Accelerator Supporting Boolean/Convolutional Operations 期刊论文
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2024, 卷号: 59, 期号: 11, 页码:
3827-3839
作者: Yuhao Shu; Hongtu Zhang; Qi Deng; Hao Sun; Zhaodong Lv
Adobe PDF(2636Kb) | 收藏 | 浏览/下载：352/2 | 提交时间：2024/05/20
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| 用于低温计算的节能存储器 专利
申请号:US18505128，申请日期: 2024-07-11，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: Yuhao Shu; Hongtu Zhang; Yajun Ha
Adobe PDF(1150Kb) | 收藏 | 浏览/下载：418/1 | 提交时间：2024/07/12 |
| 用于低温计算的高效能存储器 专利
申请号:WOCN23083273，申请日期: 2024-07-11，类型:发明申请，状态:未进入国家阶段-PCT有效期内
发明人: Shu Yuhao; Zhang Hongtu; Ha Yajun
Adobe PDF(1601Kb) | 收藏 | 浏览/下载：395/2 | 提交时间：2024/07/12 |
| 一种低温高能效存内计算加速器 专利
申请号:WOCN23083264，申请日期: 2024-07-04，类型:发明申请，状态:未进入国家阶段-PCT有效期内
发明人: Shu Yuhao; Zhang Hongtu
Adobe PDF(1768Kb) | 收藏 | 浏览/下载：382/1 | 提交时间：2024/07/05 |
| 节能的存储器中低温计算(CIMC)加速器 专利
申请号:US18229698，申请日期: 2024-07-04，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: Yuhao Shu; Hongtu Zhang; Yajun Ha
Adobe PDF(983Kb) | 收藏 | 浏览/下载：191/0 | 提交时间：2024/07/05 |
| eCIMC: A603.1-TOPS/W eDRAM-Based Cryogenic In-Memory Computing Accelerator Supporting Boolean/Convolutional Operations 期刊论文
IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 2024
作者: Yuhao Shu; Hongtu Zhang; Qi Deng; Zhaodong Lv; Yifei Li
Adobe PDF(2635Kb) | 收藏 | 浏览/下载：59/2 | 提交时间：2025/04/01 |
| 面向高能效存内计算的低温准静态嵌入式DRAM 专利
申请号:CN202311736860.7，申请日期: 2024-04-30，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 束宇豪; 张宏图; 哈亚军
Adobe PDF(1093Kb) | 收藏 | 浏览/下载：436/1 | 提交时间：2024/04/30 |
| 支持始终线性放电和减少数字步长的双六晶体管(D6T)内存计算(IMC)加速器 专利
申请号:US18377840，申请日期: 2024-04-25，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: Hongtu Zhang; Yuhao Shu; Yajun Ha
Adobe PDF(1722Kb) | 收藏 | 浏览/下载：418/1 | 提交时间：2024/04/26 |
