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| 面向高能效存内计算的低温准静态嵌入式DRAM | |
| 申请号 | CN202311736860.7 |
| 2024-04-30 | |
| 公开（公告）号 | CN117953935A |
| 公开日期 | 2024-04-30 |
| 摘要 | 本发明公开了一种面向高能效存内计算的低温准静态嵌入式DRAM，其特征在于，低温准静态嵌入式DRAM阵列由4T TGGC存储单元组成，每个4T TGGC存储单元由一个PMOS晶体管P1以及三个NMOS晶体管N1、N2、N3。本发明提出了一种低温四晶体管传输门增益单元拓扑结构，通过充分利用其在降低泄漏和线传输延迟方面的优势，在低温下实现准静态存储操作。此外，本发明采用低温写入位线(WBL)偏置技术和专用的读出电路来优化读写操作的功耗。 |
| 当前权利人 | 上海科技大学 |
| 专利代理人 | 翁若莹 ; 柏子雵 |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 |
| 专利申请人 | 上海科技大学 |
| 公开国别 | 中国 |
| 公开国别简称 | CN |
| IPC 分类号 | G11C11//406; G11C11//408; G11C11//4096; G11C11//4094; G11C11//4074 |
| 专利有效性 | 审中 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 专利类型字典 | 1 |
| 当前法律状态 | 实质审查 |
| 简单同族 | CN117953935A |
| 扩展同族 | CN117953935A |
| INPADOC 同族 | CN117953935A |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/367428 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_博士生 信息科学与技术学院_PI研究组_哈亚军组 |
| 作者单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 束宇豪,张宏图,哈亚军. 面向高能效存内计算的低温准静态嵌入式DRAM. CN202311736860.7[P]. 2024-04-30. |
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