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MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响 期刊论文
四川师范大学学报(自然科学版), 2018, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 662-667
作者:  张凡;  潘文武;  王利娟;  张焱超;  宋禹忻
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Band Structure and Optical Gain of InGaAs/GaAsBi Type-II Quantum Wells Modeled by the k center dot p Model 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 5
作者:  Wang, Chang;  Pan, Wenwu;  Kolokolov, Konstantin;  Wang, Shumin
Adobe PDF(669Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：511/3  |  提交时间：2018/06/13
Progress on III-V-Bi Alloys and Light Emitting Devices 会议论文
2018 20TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS (ICTON), Bucharest, Romania, 1-5 July 2018
作者:  Wang, Shumin;  Yue, Li;  Wang, Lijuan;  Zhang, Yanchao;  Wang, Chang
Adobe PDF(979Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：505/1  |  提交时间：2018/12/01
Electrically injected GaAsBi/GaAs single quantum well laser diodes 期刊论文
AIP ADVANCES, 2017, 卷号: 7, 期号: 11
作者:  Liu, Juanjuan;  Pan, Wenwu;  Wu, Xiaoyan;  Cao, Chunfang;  Li, Yaoyao
Adobe PDF(3427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：994/1  |  提交时间：2018/01/05
1.142 mu m GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2017, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 1322-1326
作者:  Wu, Xiaoyan;  Pan, Wenwu;  Zhang, Zhenpu;  Li, Yaoyao;  Cao, Chunfang
Adobe PDF(1221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：601/1  |  提交时间：2017/08/26
Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 1
作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Song, Yuxin;  Li, Yaoyao
Adobe PDF(1009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：627/0  |  提交时间：2017/07/04
Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 120, 期号: 10
作者:  
Adobe PDF(2055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：435/0  |  提交时间：2017/07/04
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