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A Cryogenic 3.3-V Supply, 1.6% 3σ-Accuracy All-CMOS Voltage Reference With 58-dB PSR@10 kHz in 0.18-μm CMOS 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2025
作者:  Yupeng,Yuan
Adobe PDF(5423Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：17/2  |  提交时间：2025/03/21
Ion-modulation optoelectronic neuromorphic devices: mechanisms, characteristics, and applications 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2025, 卷号: 46, 期号: 2
作者:  Meng, Xiaohan;  Gao, Runsheng;  Zhu, Xiaojian;  Li, Run-Wei
Adobe PDF(6691Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：19/1  |  提交时间：2025/03/14
Multiframe-integrated, in-sensor computing using persistent photoconductivity 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 9
作者:  Jiang, Xiaoyong;  Ye, Minrui;  Li, Yunhai;  Fu, Xiao;  Li, Tangxin
Adobe PDF(8235Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：156/1  |  提交时间：2024/09/20
High-precision X-ray characterization for basic materials in modern high-end integrated circuit 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024
作者:  Zhao WR(赵蔚然);  Mo QQ(莫秋祺);  Zheng L(郑理);  Li ZL(李中亮);  Zhang XW(张小威)
Adobe PDF(8444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：16/3  |  提交时间：2025/03/28
Controllable step-flow growth of GaN on patterned freestanding substrate 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 2
作者:  Peng Wu,;  Jianping Liu;  Lei Hu;  Xiaoyu Ren,;  Aiqin Tian
Adobe PDF(6040Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：327/0  |  提交时间：2024/03/08
Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2024, 卷号: 45, 期号: 3
作者:  Jin Sui;  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Yu Zhang;  Xing Lu
Adobe PDF(4177Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：265/0  |  提交时间：2024/04/06
Spin injection into heavily-doped n-GaN via Schottky barrier 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2023, 卷号: 44, 期号: 8
作者:  Zhenhao Sun;  Ning Tang;  Shuaiyu Chen;  Fan Zhang;  Haoran Fan
Adobe PDF(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2024/05/20
Temperature-insensitive reading of a flash memory cell 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2023, 卷号: 44, 期号: 4
作者:  Zhang, Weiyan;  Yu, Tao;  Zhu, Zhifeng;  Li, Binghan
Adobe PDF(7592Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：235/2  |  提交时间：2023/03/31
Diamond semiconductor and elastic strain engineering 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2022, 卷号: 43, 期号: 2
作者:  Dang, Chaoqun;  Lu, Anliang;  Wang, Heyi;  Zhang, Hongti;  Lu, Yang
Adobe PDF(4404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：396/2  |  提交时间：2022/03/25
High-operating-temperature MWIR photodetector based on a InAs/GaSb superlattice grown by MOCVD 期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2022, 卷号: 43, 期号: 1
作者:  Hao, Xiujun;  Teng, Yan;  Zhu, He;  Liu, Jiafeng;  Zhu, Hong
Adobe PDF(458Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：362/0  |  提交时间：2022/02/13
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