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High-precision X-ray characterization for basic materials in modern high-end integrated circuit
2024-07
发表期刊JOURNAL OF SEMICONDUCTORS (IF:4.8[JCR-2023],3.3[5-Year])
ISSN2058-6140
发表状态已发表
DOI10.1088/1674-4926/24030016
文献类型期刊论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/503690
专题物质科学与技术学院
物质科学与技术学院_硕士生
物质科学与技术学院_博士生
共同第一作者Zhao WR(赵蔚然); Zheng L(郑理)
通讯作者Zheng L(郑理)
作者单位
1.National Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China
2.School of Physical Science and Technology, ShanghaiTech University, Shanghai 201210, China
3.Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, China
4.Beijing Synchrotron Radiation Facility, Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Science, Beijing 100049, China
第一作者单位物质科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhao WR,Mo QQ,Zheng L,et al. High-precision X-ray characterization for basic materials in modern high-end integrated circuit[J]. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS,2024.
APA Zhao WR,Mo QQ,Zheng L,Li ZL,Zhang XW,&Yu YH.(2024).High-precision X-ray characterization for basic materials in modern high-end integrated circuit.JOURNAL OF SEMICONDUCTORS.
MLA Zhao WR,et al."High-precision X-ray characterization for basic materials in modern high-end integrated circuit".JOURNAL OF SEMICONDUCTORS (2024).
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