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AlScN Ferroelectric Diode Enabled CAM with 4F2 Cell Size and Low Thermal Budget (330 °C)
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Wenxin Sun
;
Xiao Kou
;
Jiuren Zhou
;
Siying Zheng
;
Jiawei Li
Adobe PDF(1473Kb)
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浏览/下载:74/1
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提交时间:2025/02/12
Ferroelectric devices
Ferroelectric materials
PIN diodes
Three dimensional integrated circuits
Cell design
Cell-size
Content-addressable memory
Data-intensive application
Effective approaches
Fe-diode
Footprint
Low thermal budget
Thermal
Probing Electron Density in Quantum Wells and its Impact on the Performance of Infrared Photodetectors
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1740-1743
作者:
Rui Xin
;
Ning Li
;
Hui Xia
;
Xinyang Jiang
;
Li Yu
Adobe PDF(2237Kb)
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浏览/下载:132/2
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提交时间:2024/08/26
SSRM
QWIPs
thermionic emission model
electron concentration
electron concentration
dark current
dark current
responsivity
responsivity
dark current
responsivity
Non-zero Power Flow Angles in Surface Acoustic Wave Resonators for Transverse Mode Suppression
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Jinbo Wu
;
Shibin Zhang
;
Hulin Yao
;
Liping Zhang
;
Pengcheng Zheng
Adobe PDF(2307Kb)
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浏览/下载:431/8
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提交时间:2024/04/01
Surface acoustic wave resonator
LiTaO3
shear horizontal mode
transverse mode
power flow angle
545-mA/mm E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT (Vth > 4V) by Ion Beam Etching
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yu Zhang
;
Jialun Li
;
Junmin Zhou
Adobe PDF(2787Kb)
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浏览/下载:243/1
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提交时间:2024/04/16
Enhancement mode
ion beam etching
MOSHEMT
recessed-gate
normally-off
Low Dark Current HgCdTe Long Wavelength Infrared Photodiodes with Bandgap Gradient Multi-Layer Heterojunction
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Liqi Zhu
;
Tianxiang Wu
;
Zihao Wang
;
Xi Wang
;
Xun Li
Adobe PDF(636Kb)
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浏览/下载:201/2
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提交时间:2024/04/01
Long-wavelength infrared detectors
HgCdTe
heterojunction
dark current
detectivity
Electro-acoustic Phase Modulator based on AlScN Thin Film
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 817-820
作者:
Shuai Shao
;
Zhifang Luo
;
Tao Wu
Adobe PDF(1818Kb)
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浏览/下载:450/4
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提交时间:2023/04/18
Electro-acoustic effect
phase modulator
aluminum scandium nitride
phononic integrated circuit
7.5 GHz Near-Zero Temperature Coefficient of Frequency Lithium Niobate Resonator
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 2
作者:
Kangfu Liu
;
Yaoqing Lu
;
Tao Wu
Adobe PDF(1846Kb)
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浏览/下载:439/2
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提交时间:2023/02/03
RF p-GaN HEMT with 0.9-dB Noise Figure and 12.8-dB Associated Gain for LNA Applications
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1412-1415
作者:
Junmin Zhou
;
Haowen Guo
;
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Haolan Qu
Adobe PDF(1317Kb)
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浏览/下载:373/1
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提交时间:2023/07/28
Gallium nitride
III-V semiconductors
Leakage currents
Low noise amplifiers
Noise figure
Threshold voltage
Enhancement-mode
Gain
Gate
Gate-leakage
High electron-mobility transistors
Linearity
Low noiseamplifier
Performances evaluation
Radiofrequencies
RF low noise amplifier
Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1-1
作者:
Liu, Qiang
;
Zhou, Hongyang
;
Jia, Xin
;
Yang, Yumeng
;
Mu, Zhiqiang
Adobe PDF(2468Kb)
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浏览/下载:267/0
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提交时间:2022/11/04
Hardening
Ionizing radiation
MOSFET devices
Radiation effects
Radiation hardening
Radiation shielding
Silicon on insulator technology
Threshold voltage
MOS-FET
MOSFETs
Radiation hardening (electronic)
Radiation hardening (electronics)
Radiation immunity
Silicon on insulator
Total Ionizing Dose
Total ionizing dose hardening
Void embedded silicon on insulator
Advanced Surface Acoustic Wave Resonators on LiTaO3/SiO2/sapphire Substrate
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 卷号: 43, 期号: 10, 页码: 1-1
作者:
Jinbo Wu
;
Shibin Zhang
;
Yang Chen
;
Pengcheng Zheng
;
Liping Zhang
Adobe PDF(3362Kb)
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浏览/下载:441/0
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提交时间:2022/09/16
Acoustic surface wave devices
Acoustic waves
Electromechanical coupling
Lithium compounds
Natural frequencies
Sawing
Shear flow
Substrates
Tantalum compounds
LiTaO
Parasitic surface conduction
RF loss
Sapphire substrates
Shear-horizontal modes
Surface acoustic wave resonators
Temperature coefficient-of-frequency
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