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合作作者[TOP 5]

  • 李静杰

    合作成果数：1

  • 卢仕龙

    合作成果数：1

  • 钱茹

    合作成果数：1

  • Cheng, Xinhong

    合作成果数：1

  • Li, Xinchang

    合作成果数：1

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1. Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma.. [718]
2. p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀 [518]
3. 0.13 μm SOI标准单元库抗总剂量辐射的测试验证 [453]

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1. Morphology improvement of SiC trench by inductively coupled plasma.. [3]