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2018 20TH ANNIVERSARY INTE...(1)
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王庶民
合作成果数:3
Pan, Wenwu
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Wu, Xiaoyan
合作成果数:3
张焱超
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Li, Yaoyao
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王庶民
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Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells gr..
[642]
2.
Molecular beam epitaxy growth of AlAs1-xBix
[568]
3.
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4.
Progress on III-V-Bi Alloys and Light Emitting Devices
[508]
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1.
Band Structure and Optical Gain of InGaAs/GaAsBi Type-II Quantum W..
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[3]
3.
Progress on III-V-Bi Alloys and Light Emitting Devices
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Wang, Chang.,Wang, Lijuan.,Wu, Xiaoyan.,Zhang, Yanchao.,Liang, Hao.,...&Wang, Shumin.(2019).Molecular beam epitaxy growth of AlAs1-xBix.
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
,34(3).
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[2]
Wang, Chang,Pan, Wenwu,Kolokolov, Konstantin,&Wang, Shumin.(2018).Band Structure and Optical Gain of InGaAs/GaAsBi Type-II Quantum Wells Modeled by the k center dot p Model.
CHINESE PHYSICS LETTERS
,35(5).
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[3]
Wang, Shumin,Yue, Li,Wang, Lijuan,et al. Progress On Iii-v-bi Alloys And Light Emitting Devices[C]. 2018 20th Anniversary International Conference On Transparent Optical Networks (icton).Ieee.2018-01-01.
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[4]
Pan, Wenwu.,Zhang, Liyao.,Zhu, Liang.,Song, Yuxin.,Li, Yaoyao.,...&Wang, Shumin.(2017).Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy.
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
,32(1).
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