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Molecular beam epitaxy growth of AlAs1-xBix
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 34, 期号: 3
作者:
Wang, Chang
;
Wang, Lijuan
;
Wu, Xiaoyan
;
Zhang, Yanchao
;
Liang, Hao
Adobe PDF(963Kb)
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浏览/下载:578/3
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提交时间:2019/02/25
AlAsBi
molecular beam epitaxy
Rutherford backscattering spectroscopy
As-Al flux ratio
Molecular beam epitaxy growth of GaSb
1-x
Bi
x
without rotation
期刊论文
VACUUM, 2019, 卷号: 168
作者:
Chi, Chaodan
;
Yue, Li
;
Zhang, Yanchao
;
Zhang, Zhenpu
;
Ou, Xin
Adobe PDF(1942Kb)
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浏览/下载:486/5
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提交时间:2019/08/13
A comparative study of selective dry and wet etching of germanium tin (Ge1-xSnx) on germanium
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 8
作者:
Han, Yi
;
Li, Yaoyao
;
Song, Yuxin
;
Chi, Chaodan
;
Zhang, Zhenpu
Adobe PDF(1895Kb)
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浏览/下载:552/1
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提交时间:2018/08/09
GeSn
etching process
microstructure
Wavelength extension in GaSbBi quantum wells using delta-doping
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 744, 页码: 667-671
作者:
Zhang, Yanchao
;
Yue, Li
;
Chen, Xiren
;
Shao, Jun
;
Ou, Xin
Adobe PDF(1114Kb)
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浏览/下载:571/1
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提交时间:2018/03/01
Molecular beam epitaxy
Delta-doping
GaSbBi
Photoluminescence
Band Structure and Optical Gain of InGaAs/GaAsBi Type-II Quantum Wells Modeled by the k center dot p Model
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 35, 期号: 5
作者:
Wang, Chang
;
Pan, Wenwu
;
Kolokolov, Konstantin
;
Wang, Shumin
Adobe PDF(669Kb)
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浏览/下载:526/3
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提交时间:2018/06/13
Structural and optical properties of GaSbBi/GaSb quantum wells [Invited]
期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2018, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 893-900
作者:
Yue, Li
;
Chen, Xiren
;
Zhang, Yanchao
;
Kopaczek, Jan
;
Shao, Jun
Adobe PDF(3692Kb)
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浏览/下载:546/2
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提交时间:2018/04/11
Abnormal strain in suspended GeSn microstructures
期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2018, 卷号: 5, 期号: 3
作者:
Han, Yi
;
Song, Yuxin
;
Chen, Xiren
;
Zhang, Zhenpu
;
Liu, Juanjuan
Adobe PDF(1524Kb)
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浏览/下载:552/1
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提交时间:2018/04/11
GeSn
microstructure
FEM
mu-Raman
strain engineering
silicon photonics
PL
Progress on III-V-Bi Alloys and Light Emitting Devices
会议论文
2018 20TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS (ICTON), Bucharest, Romania, 1-5 July 2018
作者:
Wang, Shumin
;
Yue, Li
;
Wang, Lijuan
Adobe PDF(979Kb)
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浏览/下载:521/1
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提交时间:2018/12/01
dilute bismide
AlAsBi
AlSbBi
laser diode
light emitting diode
molecular beam epitaxy
Growth mode of tensile-strained Ge quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 50, 期号: 46
作者:
Zhang, Z. P.
;
Song, Y. X.
Adobe PDF(1850Kb)
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浏览/下载:978/2
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提交时间:2017/11/14
germanium
tensile-strained
growth mode
quantum dots
Electrically injected GaAsBi/GaAs single quantum well laser diodes
期刊论文
AIP ADVANCES, 2017, 卷号: 7, 期号: 11
作者:
Liu, Juanjuan
;
Pan, Wenwu
;
Wu, Xiaoyan
;
Cao, Chunfang
;
Li, Yaoyao
Adobe PDF(3427Kb)
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浏览/下载:1032/1
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提交时间:2018/01/05
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