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Correlation of preparation conditions of SrRuO3 ultrathin films with topological Hall effect
期刊论文
WULI XUEBAO/ACTA PHYSICA SINICA, 2023, 卷号: 72, 期号: 9
作者:
Adobe PDF(2527Kb)
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浏览/下载:300/1
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提交时间:2023/06/02
Crystallinity
Fermi liquids
Fermions
Molecular beam epitaxy
Molecular beams
Quantum Hall effect
Ruthenium
Ruthenium compounds
Spin Hall effect
Temperature
Topology
Transition metal oxides
Transport properties
Growth control
Highest temperature
Laser energy density
Laser molecular beam epitaxy
Lows-temperatures
Preparation conditions
SrRuO 3
Target surface
Thin-films
Topological hall effect
Progress on III-V-Bi Alloys and Light Emitting Devices
会议论文
2018 20TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS (ICTON), Bucharest, Romania, 1-5 July 2018
作者:
Wang, Shumin
;
Yue, Li
;
Wang, Lijuan
;
Zhang, Yanchao
;
Wang, Chang
Adobe PDF(979Kb)
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收藏
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浏览/下载:516/1
|
提交时间:2018/12/01
dilute bismide
AlAsBi
AlSbBi
laser diode
light emitting diode
molecular beam epitaxy
1.142 mu m GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
ACS PHOTONICS, 2017, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 1322-1326
作者:
Wu, Xiaoyan
;
Pan, Wenwu
;
Zhang, Zhenpu
;
Li, Yaoyao
;
Cao, Chunfang
Adobe PDF(1221Kb)
|
收藏
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浏览/下载:607/1
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提交时间:2017/08/26
GaAsBi
molecular beam epitaxy
laser diodes
quantum well
uncooled laser
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