×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
物质科学与技术学院 [8]
信息科学与技术学院 [7]
作者
陈佰乐 [6]
郝修军 [5]
邓卓 [4]
黄健 [4]
李萌 [3]
沈智健 [2]
更多...
文献类型
期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2023 [2]
2022 [1]
2021 [3]
2020 [2]
2019 [3]
出处
SEMICONDUC... [2]
2023 OPTO-... [1]
CHINESE PH... [1]
ELECTRONIC... [1]
IEEE ACCES... [1]
IEEE JOURN... [1]
更多...
语种
英语 [8]
资助项目
National N... [2]
National K... [1]
National N... [1]
Natural Sc... [1]
ShanghaiTe... [1]
U.K. EPSRC... [1]
更多...
资助机构
收录类别
EI [9]
SCIE [9]
SCI [8]
状态
已发表 [11]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共11条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Mid-Wave Infrared High-Speed InAs/GaSb Superlattice Uni-Traveling Carrier Photodetector
会议论文
2023 OPTO-ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC), Shanghai, China, 2-6 July 2023
作者:
Zhijian Shen
;
Jinshan Yao
;
Hong Lu
;
Baile Chen
Adobe PDF(494Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:208/1
|
提交时间:2023/10/07
Mid-wave infrared photodetector
high-speed photodetector
InAs/GaSb type-II superlattice
uni-traveling carrier photodiode
High-Speed Mid-Wave Infrared Uni-Traveling Carrier Photodetector with Inductive Peaked Dewar Packaging
期刊论文
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2023, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-8
作者:
Zhijian Shen
;
Jinshan Yao
;
Jian Huang
;
Zhecheng Dai
;
Luyu Wang
Adobe PDF(1149Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:302/3
|
提交时间:2023/10/16
Mid-wave infrared high-speed photodetector
uni-traveling carrier photodiode
InAs/GaSb type-II superlattice
dewar packaging
inductive peaking
bonding wires
Long-wavelength InAs/GaSb superlattice double heterojunction infrared detectors using InPSb/InAs superlattice hole barrier
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 37, 期号: 5
作者:
Liu, Jiafeng
;
Zhu, He
;
Zhu, Hong
;
Li, Meng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(1708Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:208/0
|
提交时间:2022/05/05
InAs
GaSb superlattice
double heterojunction
metal-organic chemical vapor deposition
long-wavelength infrared
High Operating Temperature InAs/GaSb Superlattice Based Mid Wavelength Infrared Photodetectors Grown by MOCVD
期刊论文
PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 12
作者:
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Zhu, Hong
;
Huai, Yunlong
;
Li, Meng
Adobe PDF(2855Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:658/261
|
提交时间:2022/01/18
high operating temperature
mid-wavelength infrared
aluminum-free
inas/gasb superlattice
metal
-
organic chemical vapor deposition
Long-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Detectors With Low Dark Current Density Grown by MOCVD
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2021, 卷号: 33, 期号: 9
作者:
He Zhu
;
Xiujun Hao
;
Yan Teng
;
Jiafeng Liu
;
Hong Zhu
Adobe PDF(683Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:317/7
|
提交时间:2021/05/10
InAs/GaSb superlattice
long-wavelength infrared
device physics
metal-organic chemical vapor deposition
Demonstration of MOCVD-Grown Long-Wavelength Infrared InAs/GaSb Superlattice Focal Plane Array
期刊论文
IEEE ACCESS, 2021, 卷号: 9
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Hong Zhu
;
He Zhu
;
Jiafeng Liu
Adobe PDF(6711Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:554/10
|
提交时间:2021/05/10
Long-wavelength infrared
InAs/GaSb superlattice
focal plane array
metalorganic chemical vapor deposition
Short-wavelength infrared InAs/GaSb superlattice hole avalanche photodiode
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 11
作者:
Liu, Jia-Feng
;
Zhang, Ning-Tao
;
Teng, Yan
;
Hao, Xiu-Jun
;
Zhao, Yu
Adobe PDF(606Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:335/1
|
提交时间:2020/11/24
short-wavelength infrared
InAs/GaSb superlattice
avalanche photodiodes
metal-organic chemical vapor deposition
Evaluation of lateral diffusion length in InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2020, 卷号: 56, 期号: 15, 页码: 785-787
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Yu Zhao
;
Qihua Wu
;
Xin Li
Adobe PDF(472Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:252/0
|
提交时间:2020/09/01
MOCVD
dark conductivity
minority carriers
infrared detectors
semiconductor superlattices
semiconductor growth
III-V semiconductors
indium compounds
gallium compounds
etching
current density
photodetectors
photoconductivity
carrier lifetime
lateral diffusion length
minority carriers
metalorganic chemical vapour deposition
diffusion-limited behaviour
dark current density
shallow-etched pixels
photocurrent
size-dependent behaviour
superlattice materials
MOCVD
LWIR InAs-GaSb superlattice detectors
deeply-etched PNn device
temperature 80
0 K
voltage-0
1 V
InAs-GaSb
Demonstration of Si based InAs/GaSb type-II superlattice p-i-n photodetector
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 101, 页码: 133-137
作者:
Deng, Zhuo
;
Guo, Daqian
;
Burguete, Claudia Gonzalez
;
Xie, Zongheng
;
Huang, Jian
Adobe PDF(1148Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:538/5
|
提交时间:2019/07/26
InAs/GaSb, type-II superlattice
Mid-wave infrared
Silicon photonics
Mid-Wave Infrared InAs/GaSb Type-II Superlattice Photodetector With n-B-p Design Grown on GaAs Substrate
期刊论文
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 卷号: 55, 期号: 4
作者:
Zhuo Deng
;
Daqian Guo
;
Jian Huang
;
Huiyun Liu
;
Jiang Wu
Adobe PDF(1126Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:463/3
|
提交时间:2019/07/01
GaAs substrate
InAs/GaSb type-II superlattice
mid-wave infrared
photodetector
首页
上一页
1
2
下一页
末页