×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
信息科学与技术学院 [19]
物质科学与技术学院 [16]
更多...
作者
陈佰乐 [11]
郝修军 [9]
黄健 [7]
李萌 [7]
邓卓 [6]
杨辉 [3]
更多...
文献类型
期刊论文 [23]
会议论文 [6]
发表日期
2025 [2]
2024 [2]
2023 [3]
2022 [6]
2021 [4]
2020 [4]
更多...
出处
红外与毫米波学报 [3]
IEEE PHOTO... [2]
INFRARED P... [2]
JOURNAL OF... [2]
SEMICONDUC... [2]
2018 ASIA ... [1]
更多...
语种
英语 [23]
中文 [2]
资助项目
National N... [2]
Chinese Ac... [1]
Foundation... [1]
National K... [1]
National K... [1]
National K... [1]
更多...
资助机构
收录类别
EI [23]
SCI [19]
SCIE [15]
CPCI [3]
CPCI-S [3]
北大核心 [2]
更多...
状态
已发表 [27]
正式接收 [2]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共29条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Effect of As2 flux on the growth of InAs/InGaAs dot-in-well structure by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2025, 卷号: 663
作者:
Liu, Ruo-Tao
;
Wang, Kun
;
Wu, Jian-Chu
;
Yang, Chen
;
Huang, Hua
Adobe PDF(5150Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:31/1
|
提交时间:2025/05/06
InAs quantum dot
Dot-in-well structure
Arsenic flux
Molecular beam epitaxy
InAs/GaSbⅡ类超晶格电学特性研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2025
作者:
向泰毅
浏览
|
Microsoft Word(2303Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:52/0
|
提交时间:2025/03/19
分子束外延
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
霍尔效应
x射线衍射
The impact of
P
-type doping level and profile on performance of InAs quantum dot lasers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 136, 期号: 22
作者:
Liu, Ruo-Tao
;
Du, An-Tian
;
Cao, Chun-Fang
;
Yang, Jin
;
Wu, Jian-Chu
Adobe PDF(3215Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:253/4
|
提交时间:2024/12/23
Aluminum arsenide
Continuous wave lasers
Gallium arsenide
Gallium phosphide
Indium antimonides
Indium arsenide
Indium phosphide
Nanocrystals
Photonic integrated circuits
Photonic integration technology
Q switched lasers
Quantum dot lasers
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor doping
Semiconductor quantum dots
System-on-chip
Threshold current density
Device performance
Doping levels
Doping profiles
InAs quantum dots
Output power
P-type doping
Performance
Quantum-dot lasers
Slope efficiencies
Threshold-current density
High-Speed Mid-Wave Infrared Uni-Traveling Carrier Photodetector with Inductive Peaked Dewar Packaging
期刊论文
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2024, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1504-1510
作者:
Zhijian Shen
;
Jinshan Yao
;
Jian Huang
;
Zhecheng Dai
;
Luyu Wang
Adobe PDF(1149Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:327/4
|
提交时间:2023/10/16
Mid-wave infrared high-speed photodetector
uni-traveling carrier photodiode
InAs/GaSb type-II superlattice
dewar packaging
inductive peaking
bonding wires
Interfacial characterization of InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD at different growth temperatures
期刊论文
MICRO AND NANOSTRUCTURES, 2023, 卷号: 180
作者:
Li, Meng
;
Zhu, Hong
;
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(6082Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:458/0
|
提交时间:2023/06/02
Antimony compounds
Gallium arsenide
Growth temperature
III-V semiconductors
Indium antimonides
Indium arsenide
Semiconducting gallium
Transmission electron microscopy
High-angle annular dark fields
High-angle annular dark-field imaging
InAs/GaSb superlattices
Interfacial characterization
Interfacial qualities
Interfacial structures
Metal-organic chemical vapour depositions
Scanning transmission electron microscopes
Strain-balanced
Structure features
Mid-Wave Infrared High-Speed InAs/GaSb Superlattice Uni-Traveling Carrier Photodetector
会议论文
2023 OPTO-ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC), Shanghai, China, 2-6 July 2023
作者:
Zhijian Shen
;
Jinshan Yao
;
Hong Lu
;
Baile Chen
Adobe PDF(494Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:225/1
|
提交时间:2023/10/07
Mid-wave infrared photodetector
high-speed photodetector
InAs/GaSb type-II superlattice
uni-traveling carrier photodiode
带间级联红外探测器的光电流输运与量子效率研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2023, 卷号: 42, 期号: 06, 页码: 716-723
作者:
白雪莉
;
柴旭良
;
周 易
;
朱艺红
;
梁钊铭
Adobe PDF(1629Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:509/0
|
提交时间:2023/06/12
InAs/GaSbII类超晶格
带间级联探测器
电子增益
量子效率
MWIR InAs/InAsSb type-II Superlattice Photodetector for High-Speed Operation
会议论文
2022 IEEE PHOTONICS CONFERENCE (IPC), Vancouver, BC, Canada, 13-17 Nov. 2022
作者:
Dai, Zhecheng
;
Huang, Jian
;
Chen, Baile
Microsoft Word(370Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:191/1
|
提交时间:2023/03/10
high speed
mid-wavelength
InAs/InAsSb type-II superlattices
uni-traveling carrier photodetectors
Growth and characterization of InAs/InP0.69Sb0.31 superlattice by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2022, 卷号: 595
作者:
Li, Meng
;
Zhu, Hong
;
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(4829Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:367/0
|
提交时间:2022/09/02
Atomic force microscopy
Chemical detection
Indium arsenide
Infrared radiation
Metallorganic chemical vapor deposition
Morphology
Photoluminescence
Surface morphology
Transmission electron microscopy
A1.
A3.
Antimonides
B1.
InAs/InP
Metal-organic chemical vapour depositions
Scanning transmission electron microscopes
Long-wavelength InAs/GaSb superlattice double heterojunction infrared detectors using InPSb/InAs superlattice hole barrier
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 37, 期号: 5
作者:
Liu, Jiafeng
;
Zhu, He
;
Zhu, Hong
;
Li, Meng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(1708Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:225/0
|
提交时间:2022/05/05
InAs
GaSb superlattice
double heterojunction
metal-organic chemical vapor deposition
long-wavelength infrared
首页
上一页
1
2
3
下一页
末页