×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
信息科学与技术学院 [28]
生物医学工程学院 [2]
更多...
作者
顾怡恬 [23]
邹新波 [18]
郭好文 [10]
高涵 [7]
周隽民 [6]
张羽 [6]
更多...
文献类型
期刊论文 [18]
会议论文 [10]
学位论文 [1]
发表日期
2025 [3]
2024 [7]
2023 [4]
2022 [5]
2021 [1]
2020 [2]
更多...
出处
IEEE TRANS... [4]
ELECTRONIC... [2]
IEEE JOURN... [2]
2019 CLEO ... [1]
2019 CONFE... [1]
2020 IEEE ... [1]
更多...
语种
英语 [21]
资助项目
National N... [3]
Natural Sc... [3]
ShanghaiTe... [3]
CAS Strate... [1]
CAS Strate... [1]
Key Progra... [1]
更多...
资助机构
收录类别
EI [15]
SCI [15]
SCIE [11]
CPCI-S [5]
CPCI [2]
SCOPUS [2]
更多...
状态
已发表 [24]
正式接收 [2]
已投递待接收 [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共29条,第1-10条
帮助
只显示已认领条目
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Enhanced linearity of AlGaN/GaN HEMTs via dual-gate configuration for RF amplifier applications
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2025, 卷号: 227
作者:
Guo, Haowen
;
Ye, Wenbo
;
Zhou, Junmin
;
Gu, Yitian
;
Gao, Han
Adobe PDF(4152Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:39/1
|
提交时间:2025/05/12
AlGaN/GaN HEMT
Dual gate
Output-referred third-order intercept point (OIP3)
RF linearity
Third-order intermodulation (IM3)
Neutral Beam Etching Enabled Recessed-Gate Emode GaN MOSHEMT: A Multi-Vth Power Device Platform for All-GaN Monolithic Integration
会议论文
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yudong Li
;
Xuanling Zhou
;
Haodong Jiang
Adobe PDF(1101Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:82/4
|
提交时间:2025/03/03
E-mode, neutral beam etching, recessed-gate, reverse conduction, logic gates, inverter, NAND, NOR, multivalue logic.
1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: 1035-1040
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:85/5
|
提交时间:2025/02/12
Distributed feedback lasers
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Junction gate field effect transistors
Leakage currents
Monolithic microwave integrated circuits
Noise figure
Enhancement-mode
Gallium nitride
High electron-mobility transistors
Low noiseamplifier
Low-noise amplifier
Metala sem-iconductor high-electron-mobility transistor (MOSHEMT)
MOSHEMT
MOSHEMTs
Neutral beam etching
1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications
会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(197Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:40/0
|
提交时间:2025/04/02
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 358-364
作者:
Yu Zhang
;
Renqiang Zhu
;
Haolan Qu
;
Yitian Gu
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:318/0
|
提交时间:2024/06/11
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Dielectric materials
Drain current
Electric fields
Gallium nitride
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
MOSFET devices
Stability
Threshold voltage
Current collapse
Dynamic reliability assessment
Dynamics characteristic
Dynamics stability
MOS-FET
MOSFETs
Reference devices
Time resolved measurement
Trench MOSFET
Vertical trench MOSFET
Ion Beam Etching Enabled Recessed-Gate E-mode GaN MOS-HEMT with FOM of 701 MW·cm-2 and Monolithic Integrated Digital Circuit
会议论文
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan,Korea, 2024.10.13-2024.10.17
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yitai Zhu
;
Wenbo Ye
;
Xinbo Zou
Adobe PDF(422Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:306/12
|
提交时间:2024/09/27
GaN
e-mode
recess
Monolithic
AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing
期刊论文
APL MACHINE LEARNING, 2024, 卷号: 2, 期号: 2
作者:
Chen JX(陈嘉祥)
;
Du HT(杜海涛)
;
Qu HL(屈昊岚)
;
Gao H(高涵)
;
Gu YT(顾怡恬)
Adobe PDF(8964Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:207/11
|
提交时间:2024/09/13
545-mA/mm E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT (Vth > 4V) by Ion Beam Etching
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 968-971
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yu Zhang
;
Jialun Li
;
Junmin Zhou
Adobe PDF(2787Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:278/2
|
提交时间:2024/04/16
Enhancement mode
ion beam etching
MOSHEMT
recessed-gate
normally-off
Nonlinear Capacitance Compensation Method for Integrating a Metal-Semiconductor-Metal Varactor with a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Power Amplifier
期刊论文
ELECTRONICS, 2024, 卷号: 13, 期号: 7
作者:
Li, Ke
;
Gu, Yitian
;
Guo, Haowen
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(9388Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:288/0
|
提交时间:2024/05/14
GaN HEMT
power amplifier
AM-PM distortion
LoCI-DiffCom: Longitudinal Consistency-Informed Diffusion Model for 3D Infant Brain Image Completion
会议论文
MEDICAL IMAGE COMPUTING AND COMPUTER ASSISTED INTERVENTION - MICCAI 2024, PT II, Palmeraie Conf Ctr,Marrakesh,MOROCCO, OCT 06-10, 2024
作者:
Zihao Zhu
;
Tianli Tao
;
Yitian Tao
;
Haowen Deng
;
Xinyi Cai
Adobe PDF(4119Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:400/18
|
提交时间:2024/09/20
Medical image generation
Infant brain development
Diffusion model
Magnetic resonance imaging (MRI)
首页
上一页
1
2
3
下一页
末页