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| AlScN Ferroelectric Diode Enabled CAM with 4F2 Cell Size and Low Thermal Budget (330 °C) 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2025, 卷号: 46, 期号: 4, 页码:
568-571
作者: Wenxin Sun; Xiao Kou; Jiuren Zhou; Siying Zheng; Jiawei Li
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| 氧化镓异质衬底集成技术研究进展 期刊论文
人工晶体学报, 2025, 卷号: 54, 期号: 03, 页码:
470-490
作者: 瞿振宇; 徐文慧; 江昊东; 梁恒硕; 赵天成
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| Thermodynamics of Ion-Cutting of beta-Ga2O3 and Wafer-Scale Heterogeneous Integration of a beta-Ga2O3 Thin Film onto a Highly Thermal Conductive SiC Substrate 期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2022, 卷号: 4, 期号: 1
作者: Xu, Wenhui; You, Tiangui; Mu, Fengwen; Shen, Zhenghao; Lin, Jiajie
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| Efficient thermal dissipation in wafer-scale heterogeneous integration of single-crystalline β-Ga2O3 thin film on SiC 期刊论文
FUNDAMENTAL RESEARCH, 2021
作者: Wenhui Xu; Tiangui You; Yibo Wang; Zhenghao Shen; Kang Liu
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| Channel Properties of Ga₂O₃-on-SiC MOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021
作者: Yibo Wang; Wenhui Xu; Genquan Han; Tiangui You; Fengwen Mu
Adobe PDF(1702Kb) | 收藏 | 浏览/下载：272/1 | 提交时间：2022/05/29 |
| β-Ga2O3 MOSFETs on the Si substrate fabricated by the ion-cutting process 期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2020
作者: Yibo Wang; Wenhui Xu; Tiangui You; Fengwen Mu; Haodong Hu
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| First Demonstration of Waferscale Heterogeneous Integration of Ga2O3 MOSFETs on SiC and Si Substrates by Ion-Cutting Process 会议论文
INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)
作者: Wenhui Xu; Yibo Wang; Tiangui You; Xin Ou; Genquan Han
Adobe PDF(2186Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1019/0 | 提交时间：2019/09/23 |
