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多视角三维直播方法、系统、装置、终端和存储介质 专利
申请号:CN202010197059.X，申请日期: 2020-03-19，类型:发明申请，状态:驳回
发明人:  张启煊;   虞晶怡;   张龙文
Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：486/3  |  提交时间：2021/10/17
MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响 期刊论文
四川师范大学学报(自然科学版), 2018, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 662-667
作者:  张凡;  潘文武;  王利娟;  张焱超;  宋禹忻
Adobe PDF(2934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/1  |  提交时间：2022/12/14
Vapor-solid-solid grown Ge nanowires at integrated circuit compatible temperature by molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Zhu, Zhongyunshen;  Song, Yuxin;  Zhang, Zhenpu;  Sun, Hao;  Han, Yi
Adobe PDF(2219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：444/1  |  提交时间：2017/11/02
Theoretical Investigation of Biaxially Tensile-Strained Germanium Nanowires 期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 卷号: 12
作者:  Zhu, Zhongyunshen;  Song, Yuxin;  Chen, Qimiao;  Zhang, Zhenpu;  Zhang, Liyao
Adobe PDF(2146Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：444/1  |  提交时间：2017/08/26
1.142 mu m GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2017, 卷号: 4, 期号: 6, 页码: 1322-1326
作者:  Wu, Xiaoyan;  Pan, Wenwu;  Zhang, Zhenpu;  Li, Yaoyao;  Cao, Chunfang
Adobe PDF(1221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：602/1  |  提交时间：2017/08/26
Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 1
作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Song, Yuxin;  Li, Yaoyao
Adobe PDF(1009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：633/0  |  提交时间：2017/07/04
GeSn/Ge Dual-Nanowire Heterostructure 会议论文
2017 IEEE PHOTONICS SOCIETY SUMMER TOPICAL MEETING SERIES (SUM), San Juan, Puerto rico, 10-12 July 2017
作者:  Zhu, Zhongyunshen;  Song, Yuxin;  Han, Yi;  Li, Yaoyao;  Zhang, Zhenpu
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：534/1  |  提交时间：2018/01/05
Melatonin Suppresses Toll Like Receptor 4-Dependent Caspase-3 Signaling Activation Coupled with Reduced Production of Proinflammatory Mediators in Hypoxic Microglia 期刊论文
PLOS ONE, 2016, 卷号: 11, 期号: 11
作者:  Yao, Linli;  Lu, Pengfei;  Ling, Eng-Ang
Adobe PDF(1682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：524/3  |  提交时间：2017/07/04
Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 120, 期号: 10
作者:  Pan, Wenwu;  Zhang, Liyao;  Zhu, Liang;  Li, Yaoyao;  Chen, Xiren
Adobe PDF(2055Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：437/0  |  提交时间：2017/07/04
中红外半导体材料的大跨越 期刊论文
科技纵览, 2015, 卷号: 0, 期号: 9, 页码: 72-73
作者:  王庶民;  张立瑶;  张凡
收藏  |  浏览/下载：175/0  |  提交时间：2022/12/14
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