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宋志棠组 帮助

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

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Understanding the mechanism of plasma etching of carbon-doped GeSbTe phase change material 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2024, 卷号: 671
作者:  Liu, Jin;  Zhang, Jiarui;  Wan, Ziqi;  Chen, Yuqing;  Zheng, Jia
Adobe PDF(2695Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：159/3  |  提交时间：2024/08/09
Nanoscale Phase Change Material Array by Sub-Resolution Assist Feature for Storage Class Memory Application 期刊论文
NANOMATERIALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 6
作者:  Zhang, Jiarui;  Fang, Wencheng;  Wang, Ruobing;  Li, Chengxing;  Zheng, Jia
Adobe PDF(6523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：608/179  |  提交时间：2023/04/19
Ultra-large last-level cache (UL3C) of phase change memory 期刊论文
JOURNAL OF COMPUTERS (TAIWAN), 2020, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 152-167
作者:  Li, Hai-Xin;  Jing, Wei-Liang;  Guo, Ji-Peng;  Du, Yuan;  Song, Zhi-Tang
收藏  |  浏览/下载：476/0  |  提交时间：2020/10/08
一种采用新型逻辑算法的SAR ADC 期刊论文
微电子学与计算机, 2018, 卷号: 35, 期号: 07, 页码: 35-40
作者:  黄添益;  王本艳;  景蔚亮;  宋志棠;  陈邦明
Adobe PDF(310Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：367/0  |  提交时间：2022/12/14
Scandium doping brings speed improvement in Sb2Te alloy for phase change random access memory application 期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8
作者:  Chen, Xin;  Zheng, Yonghui;  Zhu, Min;  Ren, Kun;  Wang, Yong
Adobe PDF(2181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2976/581  |  提交时间：2018/06/13