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KMS  > 信息科学与技术学院  > 硕士生
Simulation Study of Front-illuminated GaN APD with Hole-initiated Multiplicaiton
Wang YQ(王阳倩); Zhang YL(张玉良); Yang Y(杨杨); Xing Lu; Zou XB(邹新波)
2019-05
会议录名称COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK
发表状态已发表
文献类型会议论文
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/49041
专题信息科学与技术学院_硕士生
信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组
通讯作者Xing Lu
推荐引用方式
GB/T 7714		 Wang YQ,Zhang YL,Yang Y,et al. Simulation Study of Front-illuminated GaN APD with Hole-initiated Multiplicaiton[C],2019.
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