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合作作者[TOP 5]

  • 邹新波

    合作成果数：8

  • 王阳倩

    合作成果数：3

  • 杨杨

    合作成果数：2

  • 朱敏

    合作成果数：2

  • Lu, Xing

    合作成果数：2
张玉良 硕士生
所在学院： 信息科学与技术学院
职务： --
研究方向：
备注： --
张玉良

科研成果

9 2776 0 47 0 3
Items Views Downloads TC[WOS] TC[CSCD] H-index
排序方式：
 [1] Zhang, Yu,Liu, Chao,Zhu, Min,Zhang, Yuliang,&Zou, Xinbo.(2021).A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates.JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,869(15),159214.浏览/下载:316/0; 被引[WOS]:27; IF:5.8/5.3评论推荐收藏
 [2] Yuliang Zhang.,Xu Zhang.,Min Zhu.,Jiaxiang Chen.,Chak Wah Tang.,...&Xinbo Zou.(2020).Forward Conduction Instability of Quasi-Vertical GaN p-i-n Diodes on Si Substrates.IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,67(10),3992-3998.浏览/下载:333/0; 被引[WOS]:11; IF:2.9/2.9评论推荐收藏
 [3] Wang, Yangqian,Zhang, Yuliang,Yang, Yang A.,Lu, Xing,&Zou, Xinbo.(2020).Simulation study of front-illuminated GaN avalanche photodiodes with hole-initiated multiplication.COGENT ENGINEERING,7(1).浏览/下载:178/0; 被引[WOS]:0; IF:2.1/2.0评论推荐收藏
 [4] Zhang, Yuliang,Lu, Xing,&Zou, Xinbo.(2019).Device Design Assessment of GaN Merged P-i-N Schottky Diodes.ELECTRONICS,8(12).浏览/下载:314/0; 被引[WOS]:9评论推荐收藏
 [5] 张玉良,邹新波,杨杨. 一种垂直型氮化镓肖特基二极管器件及其制备方法. 2019-05-15.浏览/下载:300/0评论推荐收藏
 [6] Yangqian Wang,Yuliang Zhang,Yang A. Yang,et al. Simulation Study Of Front-illuminated Gan Avalanche Photodiodes With Hole-initiated Multiplication[C]. 2019 Compound Semiconductor Week (csw).Ieee.2019-05-01,1.浏览/下载:331/0; 被引[WOS]:0评论推荐收藏
 [7] Wang YQ,Zhang YL,Yang Y,et al. Simulation Study Of Front-illuminated Gan Apd With Hole-initiated Multiplicaiton[C]. Compound Semiconductor Week.2019-05-01.浏览/下载:341/0评论推荐收藏
 [8] 王阳倩, 邹新波, 张玉良,等. 一种ⅲ族氮化物雪崩光电二极管组件及其制备方法. 2019-04-28.浏览/下载:254/0评论推荐收藏
 [9] Zhang YL,Zou XB. Device Design Assessment Of Gan Junction Barrier Schottky Diodes[C]. International Workshop On Nitride Semiconductors-2018.2018-11-01.浏览/下载:409/0评论推荐收藏