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邹新波组 帮助

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浏览/检索结果: 共82条，第1-10条 帮助

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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT 期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025
作者:  Yitai zhu;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu;  Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：50/1  |  提交时间：2025/03/07
Effect of 5 MeV proton irradiation on electrical and trap characteristics of β-Ga2O3 power diode 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2025, 卷号: 187
作者:  Qu, Haolan;  Huang, Wei;  Zhang, Yu;  Sui, Jin;  Yang, Ge
Adobe PDF(6465Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：291/4  |  提交时间：2024/11/29
Neutral Beam Etching Enabled Recessed-Gate Emode GaN MOSHEMT: A Multi-Vth Power Device Platform for All-GaN Monolithic Integration 会议论文
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS
作者:  Han Gao;  Yitian Gu;  Yudong Li;  Xuanling Zhou;  Haodong Jiang
Adobe PDF(1101Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：40/3  |  提交时间：2025/03/03
1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2025/02/12
1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
Adobe PDF(197Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2025/04/02
Trapping mechanism transition of γ-ray irradiation on p-GaN gate stack on gate applying voltage swing 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 13
作者:  Zhu, Junyan;  Ding, Jihong;  Ouyang, Keqing;  Zou, Xinbo;  Ma, Hongping
Adobe PDF(2565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：239/1  |  提交时间：2024/10/08
Neutron irradiation and polarization effect of 4H–SiC Schottky detector 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH, SECTION A: ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2024, 卷号: 1064
作者:  Long, Ze;  Xia, Xiaochuan;  Jiang, Wei;  Jing, Hantao;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(6826Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：346/0  |  提交时间：2024/04/26
ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究 会议论文
第一届氧化镓技术与产业研讨会
作者:  陈嘉祥;  屈昊岚;  睢金;  卢星;  邹新波
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2025/04/02
Ion Beam Etching Enabled Recessed-Gate E-mode GaN MOS-HEMT with FOM of 701 MW·cm-2 and Monolithic Integrated Digital Circuit 会议论文
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan,Korea, 2024.10.13-2024.10.17
作者:  Han Gao;  Yitian Gu;  Yitai Zhu;  Wenbo Ye;  Xinbo Zou
Adobe PDF(422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：284/12  |  提交时间：2024/09/27
Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:  Zhu, Yitai;  Zhang, Yu;  Qu, Haolan;  Gao, Han;  Du, Haitao
Adobe PDF(4805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：298/3  |  提交时间：2024/06/11
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