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邹新波组
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邹新波组
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Trapping mechanism transition of γ-ray irradiation on p-GaN gate stack on gate applying voltage swing
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 13
作者:
Zhu, Junyan
;
Ding, Jihong
;
Ouyang, Keqing
;
Zou, Xinbo
;
Ma, Hongping
Adobe PDF(2565Kb)
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浏览/下载:45/1
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提交时间:2024/10/08
Aluminum gallium nitride
Electron traps
Gamma rays
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Irradiation
Junction gate field effect transistors
Threshold voltage
'current
AlGaN
Gate stacks
Mg-doping
Total ionizing dose effects
Trap density
Trap state
Trapping mechanisms
Voltage swings
Voltage-controlled
Ion Beam Etching Enabled Recessed-Gate E-mode GaN MOS-HEMT with FOM of 701 MW·cm-2 and Monolithic Integrated Digital Circuit
会议论文
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan,Korea, 2024.10.13-2024.10.17
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yitai Zhu
;
Wenbo Ye
;
Xinbo Zou
Adobe PDF(422Kb)
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浏览/下载:86/5
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提交时间:2024/09/27
GaN
e-mode
recess
Monolithic
Neutron irradiation and polarization effect of 4H–SiC Schottky detector
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH, SECTION A: ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2024, 卷号: 1064
作者:
Long, Ze
;
Xia, Xiaochuan
;
Jiang, Wei
;
Jing, Hantao
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(6826Kb)
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浏览/下载:150/0
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提交时间:2024/04/26
Bias voltage
Capacitance
Electric fields
Gamma rays
Neutrons
Polarization
Silicon carbide
4h–SiC
Charge collection efficiency
Energy resolutions
Fluences
Irradiation effect
Irradiation experiments
Neutron fluences
Polarization effect
Schottky detectors
SiC detectors
Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:
Zhu, Yitai
;
Zhang, Yu
;
Qu, Haolan
;
Gao, Han
;
Du, Haitao
Adobe PDF(4805Kb)
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浏览/下载:107/0
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提交时间:2024/06/11
AlGaN/GaN HEMT
O 2 plasma treatment
Current collapse
Threshold voltage shift
Dynamic characteristic
Nonlinear Capacitance Compensation Method for Integrating a Metal-Semiconductor-Metal Varactor with a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Power Amplifier
期刊论文
ELECTRONICS, 2024, 卷号: 13, 期号: 7
作者:
Li, Ke
;
Gu, Yitian
;
Guo, Haowen
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(9388Kb)
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提交时间:2024/05/14
GaN HEMT
power amplifier
AM-PM distortion
AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing
期刊论文
APL MACHINE LEARNING, 2024
作者:
Du HT(杜海涛)
;
Chen JX(陈嘉祥)
;
Qu HL(屈昊岚)
;
Gao H(高涵)
;
Gu YT(顾怡恬)
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提交时间:2024/09/13
Reliable electrical performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diode at cryogenic temperatures
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY A: VACUUM, SURFACES AND FILMS, 2024, 卷号: 42, 期号: 2
作者:
Qu, Haolan
;
Huang, Wei
;
Zhang, Yu
;
Sui, Jin
;
Chen, Jiaxiang
Adobe PDF(3333Kb)
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浏览/下载:160/1
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提交时间:2024/02/23
Carrier concentration
Cryogenics
Gallium compounds
Semiconductor metal boundaries
Temperature distribution
Blocking performance
Cryogenic temperatures
Dynamic performance
Electrical performance
Ideality factors
Lows-temperatures
Off state
Schottky characteristics
Temperature dependence
Temperature rise
Relaxation kinetics of interface states and bulk traps in atomic layer deposited ZrO2/β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 135, 期号: 8
作者:
Chen, Jiaxiang
;
Qu, Haolan
;
Sui, Jin
;
Lu, Xing
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(3256Kb)
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提交时间:2024/03/22
Atomic layer deposition
Capacitance
Electric fields
Gallium compounds
MOS capacitors
Oxide semiconductors
Transistors
Zirconia
Atomic layer deposited
Bulk traps
Comprehensive analysis
Device instabilities
Emission behavior
Forward bias
Interfaces state
Metal-oxide semiconductor devices
Metal-oxide- semiconductorcapacitors
Relaxation kinetics
GaN Nanowire n-i-n Diode Enabled High-performance UV Machine Vision System
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-6
作者:
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Junmin Zhou
;
Jiaxiang Chen
;
Wenbo Ye
Adobe PDF(1079Kb)
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提交时间:2024/06/24
Convolution
Gallium nitride
III-V semiconductors
Image recognition
Learning systems
Nanowires
Neural networks
Accuracy
Artificial neural network
Convolutional neural network
Gallium nitride nanowires
Machine vision systems
Machine-learning
Machine-vision
Performance
Acceleration of solving drift-diffusion equations enabled by estimation of initial value at nonequilibrium
期刊论文
NETWORKS AND HETEROGENEOUS MEDIA, 2024, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 456-474
作者:
Du, Chunlin
;
Zhang, Yu
;
Qu, Haolan
;
Guo, Haowen
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(5647Kb)
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提交时间:2024/05/14
drift -di ffusion equations
finite element method
nonlinear iteration
nonequilibrium
initial guess
semiconductor device simulation