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| Device Design Assessment of GaN Junction Barrier Schottky Diodes | |
| 2018-11 | |
| 会议录名称 | INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS-2018 |
| 发表状态 | 已发表 |
| 会议举办国 | Japan |
| 会议名称 | International Workshop on Nitride Semiconductors-2018 |
| 会议地点 | Kanazawa |
| 会议日期 | 2018-11-10至2018-11-17 |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/29152 |
| 专题 | 信息科学与技术学院_硕士生 信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组 |
| 通讯作者 | Zou XB(邹新波) |
| 作者单位 | 上海科技大学信息学院 |
| 第一作者单位 | 上海科技大学 |
| 通讯作者单位 | 上海科技大学 |
| 第一作者的第一单位 | 上海科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang YL,Zou XB. Device Design Assessment of GaN Junction Barrier Schottky Diodes[C],2018. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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