一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管以及制作方法

	一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管以及制作方法
翻译题名	Gallium nitride bidirectional conduction diode for frequency multiplication application and manufacturing method thereof
申请号	CN202010270625.5
	2020-04-08
公开（公告）号	CN111446301A
公开日期	2020-07-24
摘要	本发明提供了一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管，其特征在于，包括由下至上布置的蓝宝石衬底层、AlN缓冲层、N型GaN层一、本征GaN层、N型GaN层二，电极层一位于N型GaN层二之上，电极层二位于N型GaN层一之上。本发明的另一个技术方案是提供了一种如上述的面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管的制作方法。本发明具备低电压、倍频增益稳定和较好偶次谐波抑制的特点。本发明在零偏置电压附近，其二次和三次倍频增益平坦稳定，因此其具备低电压工作或者低功耗条件下的倍频能力。
翻译摘要	The invention provides a gallium nitride bidirectional conduction diode for frequency multiplication application. The gallium nitride bidirectional conduction diode comprises a sapphire substrate layer, an AlN buffer layer, a first N-type GaN layer, an intrinsic GaN layer and a second N-type GaN layer which are arranged from bottom to top. A first electrode layer is located above the second N-typeGaN layer, and a second electrode layer is located above the first N-type GaN layer. Another technical scheme of the invention provides a manufacturing method of the gallium nitride bidirectional conduction diode for frequency multiplication application. Characteristics of a low voltage, a stable frequency multiplication gain and better even harmonic suppression are possessed. In the vicinity ofa zero bias voltage, secondary and tertiary frequency multiplication gains are flat and stable so that a frequency multiplication capability under the condition of low-voltage work or low power consumption is realized.
当前权利人	上海科技大学
专利代理人	徐俊
代理机构	上海申汇专利代理有限公司 31001
专利申请人	上海科技大学
	郭好文; 邹新波; 杨杨
公开国别	中国
公开国别简称	CN
IPC 分类号	H01L29//861; H01L21//329
CPC分类号	H01L29//66136; H01L29//861
专利有效性	有效
专利类型	发明申请
专利类型字典	1
当前法律状态	授权
授权公告日	2023-09-26
授权公开（公告）号	CN111446301B
简单同族	CN111446301A
扩展同族	CN111446301A
INPADOC 同族	CN111446301A
文献类型	专利
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/127149
专题	信息科学与技术学院_PI研究组_邹新波组创意与艺术学院_行政办公室
作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	郭好文, 邹新波, 杨杨. 一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管以及制作方法. CN202010270625.5[P]. 2020-04-08.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
一种面向倍频应用的氮化镓双向导通二极管以（450KB）	专利		限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文