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| 1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者: Wenbo Ye ; Junmin Zhou; Han Gao; Haowen Guo; Yitian Gu
 Adobe PDF(1674Kb) |  收藏 | 浏览/下载：69/4 | 提交时间：2025/02/12
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| 1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications 会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者: Wenbo Ye; Junmin Zhou; Han Gao; Haowen Guo; Yitian Gu
Adobe PDF(197Kb) | 收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2025/04/02 |
| Ion Beam Etching Enabled Recessed-Gate E-mode GaN MOS-HEMT with FOM of 701 MW·cm-2 and Monolithic Integrated Digital Circuit 会议论文
ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan,Korea, 2024.10.13-2024.10.17
作者: Han Gao; Yitian Gu; Yitai Zhu; Wenbo Ye; Xinbo Zou
Adobe PDF(422Kb) | 收藏 | 浏览/下载：292/12 | 提交时间：2024/09/27
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| AlGaN/GaN MOS-HEMT Enabled Optoelectronic Artificial Synaptic Devices for Neuromorphic Computing 期刊论文
APL MACHINE LEARNING, 2024
作者: Chen JX(陈嘉祥); Du HT(杜海涛); Qu HL(屈昊岚); Gao H(高涵); Gu YT(顾怡恬)
Adobe PDF(8964Kb) | 收藏 | 浏览/下载：194/10 | 提交时间：2024/09/13 |
| GaN Nanowire n-i-n Diode Enabled High-performance UV Machine Vision System 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码:
1-6
作者: Haitao Du; Yu Zhang; Junmin Zhou; Jiaxiang Chen; Wenbo Ye
Adobe PDF(1079Kb) | 收藏 | 浏览/下载：240/2 | 提交时间：2024/06/24
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