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| 一种超薄、超高Tc、应力可控的氮化铌薄膜的制备方法 专利
申请号:CN202410761985.3，申请日期: 2024-08-20，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 宋艳汝
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| 一种超导薄膜器件及其制备方法 专利
申请号:CN202410698990.4，申请日期: 2024-08-16，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 宋艳汝; 彭鹏飞; 闫晓密; 张妍亭; 翁思远
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| 一种小基片衬底的双面对准方法 专利
申请号:CN202311481175.4，申请日期: 2024-01-09，类型:发明申请，状态:实质审查
发明人: 宋艳汝; 彭鹏飞; 王镜喆; 张晓航; 安正华
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