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一种超导薄膜器件及其制备方法
申请号CN202410698990.4
2024-08-16
公开(公告)号CN118510377A
公开日期2024-08-16
摘要本发明涉及光刻领域,特别涉及一种超导薄膜器件及其制备方法。所述超导薄膜器件包括晶圆衬底、设于所述晶圆衬底上的超导薄膜图案层和非磁性金属图案层;所述超导薄膜图案层包括两条相互平行的第一平行条带部和位于二者之间的若干第一垂直条带部;所述非磁性金属图案层全部或部分位于所述超导薄膜图案层上;位于所述超导薄膜图案层上的所述非磁性金属图案层具有镂空结构,其包括第一镂空结构和第二镂空结构。所述第一镂空结构和所述第二镂空结构均呈条带状且呈连续的几字形结构,二者之间呈叉指结构设置。制备上述器件时,套刻精度要求可以为100~1000nm,且不影响其性能,在光刻机选型和微纳加工上具有普适性,极大的提高器件研发的良率。
当前权利人上海科技大学
专利代理人高燕 ; 许亦琳
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
专利申请人上海科技大学
公开国别中国
公开国别简称CN
IPC 分类号H10N60//83; H10N60//85; H10N60//01
专利有效性审中
专利类型发明申请
专利类型字典1
当前法律状态实质审查
简单同族CN118510377A
扩展同族CN118510377A
INPADOC 同族CN118510377A
文献类型专利
条目标识符https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/408383
专题材料器件中心
物质科学与技术学院_特聘教授组_陆卫组
作者单位
上海科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
宋艳汝,彭鹏飞,闫晓密,等. 一种超导薄膜器件及其制备方法. CN202410698990.4[P]. 2024-08-16.
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