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研究单元&专题
信息科学与技术学院 [84]
物质科学与技术学院 [4]
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生命科学与技术学院 [1]
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作者
邹新波 [84]
陈嘉祥 [25]
屈昊岚 [23]
张羽 [19]
陈佰乐 [18]
顾怡恬 [18]
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文献类型
期刊论文 [59]
会议论文 [19]
专利 [6]
发表日期
2025 [6]
2024 [21]
2023 [12]
2022 [10]
2021 [11]
2020 [7]
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出处
IEEE TRANS... [7]
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(本次检索基于用户作品认领结果)
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共84条,第1-10条
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作者:邹新波
第一作者
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Enhanced linearity of AlGaN/GaN HEMTs via dual-gate configuration for RF amplifier applications
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2025, 卷号: 227
作者:
Guo, Haowen
;
Ye, Wenbo
;
Zhou, Junmin
;
Gu, Yitian
;
Gao, Han
Adobe PDF(4152Kb)
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浏览/下载:22/1
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提交时间:2025/05/12
AlGaN/GaN HEMT
Dual gate
Output-referred third-order intercept point (OIP3)
RF linearity
Third-order intermodulation (IM3)
Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT
期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:
Yitai zhu
;
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Haolan Qu
;
Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)
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浏览/下载:87/1
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提交时间:2025/03/07
Aluminum gallium nitride
Deep level transient spectroscopy
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Indium phosphide
Junction gate field effect transistors
MOS devices
MOSFET devices
Semiconducting aluminum compounds
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting indium phosphide
Surface discharges
Threshold voltage
AlGaN
Dynamic performance
Dynamics characteristic
Enhancement mode
GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistor
Interface traps
Metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors
Neutral beam etching
Normally off
Recessed gate
氧化镓异质衬底集成技术研究进展
期刊论文
人工晶体学报, 2025, 卷号: 54, 期号: 03, 页码: 470-490
作者:
瞿振宇
;
徐文慧
Adobe PDF(1960Kb)
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浏览/下载:21/3
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提交时间:2025/04/25
氧化镓
异质衬底集成
异质外延
机械剥离
离子束剥离转移
热管理
Neutral Beam Etching Enabled Recessed-Gate Emode GaN MOSHEMT: A Multi-Vth Power Device Platform for All-GaN Monolithic Integration
会议论文
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS
作者:
Adobe PDF(1101Kb)
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浏览/下载:76/4
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提交时间:2025/03/03
E-mode, neutral beam etching, recessed-gate, reverse conduction, logic gates, inverter, NAND, NOR, multivalue logic.
Effect of 5 MeV proton irradiation on electrical and trap characteristics of β-Ga
2
O
3
power diode
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2025, 卷号: 187
作者:
Qu, Haolan
;
Huang, Wei
;
Zhang, Yu
;
Sui, Jin
;
Yang, Ge
Adobe PDF(6465Kb)
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浏览/下载:323/4
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提交时间:2024/11/29
Proton irradiation
Static characteristics
Trap characteristics
Dynamic characteristics
1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)
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浏览/下载:78/4
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提交时间:2025/02/12
Distributed feedback lasers
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Junction gate field effect transistors
Leakage currents
Monolithic microwave integrated circuits
Noise figure
Enhancement-mode
Gallium nitride
High electron-mobility transistors
Low noiseamplifier
Low-noise amplifier
Metala sem-iconductor high-electron-mobility transistor (MOSHEMT)
MOSHEMT
MOSHEMTs
Neutral beam etching
Nonlinear Characteristics Analysis of GaN p-i-n Diodes at Room and Low Temperature
会议论文
2024 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE WORKSHOP SERIES ON ADVANCED MATERIALS AND PROCESSES FOR RF AND THZ APPLICATIONS (IMWS-AMP), Nanjing, China, 9-11 Nov. 2024
作者:
Junyuan Hu
;
Yonghao Jia
;
Xinbo Zou
;
Wei-Bing Lu
Adobe PDF(839Kb)
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浏览/下载:34/1
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提交时间:2025/04/28
1.48 dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Neutralized Ion Beam Etching for LNA Applications
会议论文
THE 11TH ASIA-PACIFIC WORKSHOP ON WIDEGAP SEMICONDUCTORS, Busan, Korea, October 13-17, 2024
作者:
Wenbo Ye
;
Junmin Zhou
;
Han Gao
;
Haowen Guo
;
Yitian Gu
Adobe PDF(197Kb)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2025/04/02
Trapping mechanism transition of γ-ray irradiation on p-GaN gate stack on gate applying voltage swing
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 13
作者:
Zhu, Junyan
;
Ding, Jihong
Adobe PDF(2565Kb)
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浏览/下载:268/1
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提交时间:2024/10/08
Aluminum gallium nitride
Electron traps
Gamma rays
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Irradiation
Junction gate field effect transistors
Threshold voltage
'current
AlGaN
Gate stacks
Mg-doping
Total ionizing dose effects
Trap density
Trap state
Trapping mechanisms
Voltage swings
Voltage-controlled
ZrO2/β-Ga2O3 MOS器件的界面态和体陷阱物性研究
会议论文
第一届氧化镓技术与产业研讨会
作者:
陈嘉祥
;
屈昊岚
;
睢金
;
卢星
;
邹新波
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2025/04/02
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