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Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2022, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1-1
作者:  Liu, Qiang;  Zhou, Hongyang;  Jia, Xin;  Yang, Yumeng;  Mu, Zhiqiang
Adobe PDF(2468Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：282/0  |  提交时间：2022/11/04
Total ionizing dose effects on nanosheet gate-all-around MOSFETs built on void embedded silicon on insulator substrate 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 1428-1431
作者:  Lantian Zhao;  Qiang Liu;  Chenhe Liu;  Lingli Chen;  Yumeng Yang
Adobe PDF(1065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：262/0  |  提交时间：2021/12/03
Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 657-660
作者:  Qiang Liu;  Zhiqiang Mu;  Chenhe Liu;  Lantian Zhao;  Lingli Chen
Adobe PDF(5336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：320/0  |  提交时间：2021/05/28
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