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文献类型
期刊论文 [6]
发表日期
2022 [1]
2021 [1]
2020 [1]
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Low temperature preparation of W-doped In2O3 transparent electrodes for p-i-n structured perovskite solar cells
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2022, 卷号: 926
作者:
Song, Chao
;
Jiang, Lubing
;
Shi, Jianhua
;
Du, Weijie
;
Zhang, Liping
Adobe PDF(2281Kb)
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浏览/下载:360/2
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提交时间:2022/09/09
Conducting polymers
Deposition
Film preparation
Indium compounds
Infrared devices
Open circuit voltage
Oxygen
Perovskite
Perovskite solar cells
Temperature
Tin compounds
Work function
150 ° C
Deposition technique
High work function
ITO films
Low temperature preparation
Oxygen partial pressure
P-i-n structure
Reactive plasma depositions
Transparent electrode
W-doped in2O3
A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 期号: 15, 页码: 159214
作者:
Zhang, Yu
;
Liu, Chao
;
Zhu, Min
;
Zhang, Yuliang
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(36302Kb)
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收藏
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浏览/下载:317/0
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提交时间:2021/12/03
Energy gap
III
V semiconductors
Light emitting diodes
Schottky barrier diodes
Silicon
Substrates
Barrier diodes
Design technologies
Device design
Lightemitting diode
Optoelectronic applications
PiN diode
Power conversion
Schottky barriers
Si substrates
Two
terminal devices
GaN
Two-terminal devices
SBDs
p-i-n diodes
LEDs
GaN Single Nanowire p-i-n Diode for High-Temperature Operations
期刊论文
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 卷号: 2, 期号: 3, 页码: 719-724
作者:
Zou, Xinbo
;
Zhang, Xu
;
Zhang, Yu
;
Lyu, Qifeng
;
Tang, Chak Wah
Adobe PDF(2216Kb)
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浏览/下载:286/0
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提交时间:2020/07/27
GaN
p-i-n diode
nanowires
high temperature
TCAD simulation
top-down method
UV detection
Device Design Assessment of GaN Merged P-i-N Schottky Diodes
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12
作者:
Zhang, Yuliang
;
Lu, Xing
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(2742Kb)
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浏览/下载:315/0
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提交时间:2020/02/21
GaN
P-i-N diodes
Schottky diodes
blocking voltage
forward characteristics
merged P-i-N Schottky diodes
背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟
期刊论文
半导体光电, 2017, 卷号: 38, 期号: 04, 页码: 498-501
作者:
黄波
;
许金通
;
王玲
;
张燕
;
李向阳
Adobe PDF(298Kb)
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浏览/下载:181/0
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提交时间:2022/12/14
InGaN
p-i-n
紫外探测器
制备
数值模拟
Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector
期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 49, 期号: 4
作者:
Huang, Bo
;
Xu, Jintong
;
Wang, Ling
;
Zhang, Yan
;
Li, Xiangyang
Adobe PDF(987Kb)
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浏览/下载:1424/461
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提交时间:2017/07/04
InGaN
p-i-n
Ultraviolet photodetector
Simulation
Responsivity
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