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	背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟
	黄波1,2; 许金通1; 王玲1; 张燕1; 李向阳1,2
	2017-08-15
发表期刊	半导体光电
卷号	38期号:04页码:498-501
DOI	10.16818/j.issn1001-5868.2017.04.007
摘要	研究了背照式InGaN p-i-n结构的紫外探测器的制备与数值模拟。通过低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长p-GaN/i-InGaN/n-GaN外延片,采用标准的Ⅲ-Ⅴ族器件制备工艺,成功制备出p-i-n结构的InGaN紫外探测器。探测器台面半径为30μm,在-5V偏压下暗电流为-6.47×10~(-12) A,对应的电流密度为2.29×10~(-7) A/cm~2。该探测器响应波段为360~380nm,在371nm处达到峰值响应率为0.21A/W,对应的外量子效率为70%,内量子效率为78.4%。零偏压下,优值因子R0A=5.66×10~7Ω·cm~2,对应的探测率D*=2.34×10~(13) cm·Hz~(1/2)·W~(-1)。同时,利用Silvaco TCAD软件进行数值模拟,响应率曲线仿真值与实验值拟合较好。
关键词	InGaN p-i-n 紫外探测器 制备 数值模拟
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收录类别	北大核心
语种	中文
原始文献类型	学术期刊
中图分类号	TN23
文献类型	期刊论文
条目标识符	https://kms.shanghaitech.edu.cn/handle/2MSLDSTB/255575
专题	信息科学与技术学院_特聘教授组_李向阳组 信息科学与技术学院_硕士生
作者单位	1.中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室; 2.上海科技大学信息学院
第一作者单位	上海科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	黄波,许金通,王玲,等. 背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟[J]. 半导体光电,2017,38(04):498-501.
APA	黄波,许金通,王玲,张燕,&李向阳.(2017).背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟.半导体光电,38(04),498-501.
MLA	黄波,et al."背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟".半导体光电 38.04(2017):498-501.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可

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