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2025 [1]
2024 [1]
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IEEE ELECT... [1]
POWER ELEC... [1]
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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT
期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:
Yitai zhu
;
Haitao Du
;
Yu Zhang
;
Haolan Qu
;
Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)
|
收藏
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浏览/下载：67/1
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提交时间：2025/03/07
Aluminum gallium nitride
Deep level transient spectroscopy
Gates (transistor)
High electron mobility transistors
Indium phosphide
Junction gate field effect transistors
MOS devices
MOSFET devices
Semiconducting aluminum compounds
Semiconducting gallium compounds
Semiconducting indium phosphide
Surface discharges
Threshold voltage
AlGaN
Dynamic performance
Dynamics characteristic
Enhancement mode
GaN metal oxide semiconductor high electron mobility transistor
Interface traps
Metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors
Neutral beam etching
Normally off
Recessed gate
545-mA/mm E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT (Vth > 4V) by Ion Beam Etching
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Han Gao
;
Yitian Gu
;
Yu Zhang
;
Jialun Li
;
Junmin Zhou
Adobe PDF(2787Kb)
|
收藏
|
浏览/下载：245/1
|
提交时间：2024/04/16
Enhancement mode
ion beam etching
MOSHEMT
recessed-gate
normally-off
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