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545-mA/mm E-mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT (Vth > 4V) by Ion Beam Etching 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:  Han Gao;  Yitian Gu;  Yu Zhang;  Jialun Li;  Junmin Zhou
Adobe PDF(2787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：245/1  |  提交时间：2024/04/16
Efficient heterogeneous integration of InP/Si and GaSb/Si templates with ultra-smooth surfaces 期刊论文
SCIENCE CHINA INFORMATION SCIENCES, 2022, 卷号: 65, 期号: 8
作者:  Jin, Tingting;  Lin, Jiajie;  You, Tiangui;  Zhang, Xiaolei
Adobe PDF(2696Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2022/07/25
Low voltage field emission of single Cu nanowire in air with nanoscale gaps for vacuum electronics 期刊论文
MICRO & NANO LETTERS, 2017, 卷号: 12, 期号: 11, 页码: 897-900
作者:  Liu, Meng;  Yang, Yang;  Li, Tie;  Wang, Yuelin
Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：531/1  |  提交时间：2018/01/05
Characterization method of PN junction region expansion in HgCdTe device 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 期号: 1, 页码: 54-59
作者:  Weng Bin;  Zhou Song-Min;  Wang Xi;  Chen Yi-Yu;  Li Hao
Adobe PDF(2335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：397/2  |  提交时间：2017/07/04
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