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文献类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2023 [1]
2022 [1]
2021 [3]
出处
IEEE ELECT... [2]
18TH INTER... [1]
CHINESE OP... [1]
PHOTONICS ... [1]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
An One-port A2 Mode AlN Lamb Wave Resonator Based on SOI Substrate
会议论文
18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, NEMS 2023, Jeju, Korea, May 14, 2023 - May 17, 2023
作者:
Xianzheng Lu
;
Hao Ren
Adobe PDF(549Kb)
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浏览/下载:360/0
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提交时间:2023/09/08
Electromechanical coupling
Electromechanical devices
III-V semiconductors
MEMS
Natural frequencies
Resonators
Silicon on insulator technology
Substrates
Surface waves
Ultrasonic waves
Wave propagation
AlN resonators
Bottom layers
Heavily doped silicons
Lamb wave resonators
MEMS (microelectromechanical system)
Micro-electro-mechanical system
Mode-based
Quality factors
Second orders
Silicon-on-insulator substrates
Electro-optically tunable microdisk laser on Er3+-doped lithium niobate thin film
期刊论文
CHINESE OPTICS LETTERS, 2022, 卷号: 20, 期号: 1
作者:
Zhu, Yiran
;
Zhou, Yuan
;
Wang, Zhe
;
Fang, Zhiwei
;
Liu, Zhaoxiang
Adobe PDF(760Kb)
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收藏
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浏览/下载:386/0
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提交时间:2021/12/03
Microelectrodes
Niobium compounds
Semiconductor doping
Tuning
Electro
optically tunable microlaser
Er3 doping
Insulator substrates
Lithium niobate
Lithium niobate thin films
Microdisks
Microdisks lasers
Microlaser
Tunables
Variable voltage
Total ionizing dose effects on nanosheet gate-all-around MOSFETs built on void embedded silicon on insulator substrate
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 1428-1431
作者:
Lantian Zhao
;
Qiang Liu
;
Chenhe Liu
;
Lingli Chen
;
Yumeng Yang
Adobe PDF(1065Kb)
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收藏
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浏览/下载:249/0
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提交时间:2021/12/03
Ionizing radiation
Metals
MOS devices
Nanosheets
Oxide semiconductors
Silicon on insulator technology
Substrates
Threshold voltage
Off
state current
Radiation environments
Radiation tolerances
Silicon
on
insulator substrates
Threshold voltage shifts
Total Ionizing Dose
Total ionizing dose effects
X ray irradiation
Gallium arsenide
Logic gates
Silicon-on-insulator
MOSFET
Total ionizing dose
Performance evaluation
nanosheet
gate-all-around
void-embedded silicon on insulator
Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 657-660
作者:
Adobe PDF(5336Kb)
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浏览/下载:309/0
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提交时间:2021/05/28
Logic gates
Gallium arsenide
Silicon
Substrates
Silicon-on-insulator
Etching
MOSFET
Gate-all-around
void embedded silicon on insulator
suspended Si channels
subthreshold swing
30 GHz GeSn photodetector on SOI substrate for 2 mu m wavelength application
期刊论文
PHOTONICS RESEARCH, 2021, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 494-500
作者:
Li, Xiuli
;
Peng, Linzhi
;
Liu, Zhi
;
Zhou, Zhiqi
;
Zheng, Jun
Adobe PDF(2776Kb)
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收藏
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浏览/下载:441/1
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提交时间:2021/05/14
Dark currents
Optical communication
Photons
Semiconductor alloys
Silicon on insulator technology
Substrates
3 dB bandwidth
DC and RF characteristics
Germanium tins
Normal incidence
Responsivity
Silicon
on
insulator substrates
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