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Depth-dependent magnetic crossover in a room-temperature skyrmion-hosting multilayer
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2024, 卷号: 109, 期号: 13
作者:
Hicken, T.J.
;
Wilson, M.N.
;
Salman, Z.
;
Zhang, S.L.
;
Holt, S.J.R.
Adobe PDF(952Kb)
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提交时间：2024/05/11
Magnetic domains
Magnetic fields
Magnetic logic devices
Multilayers
X ray scattering
Depth dependence
Depth dependents
Lower energies
Micromagnetic simulations
Multilayer stacks
Muon spin rotation
Si substrates
Skyrmions
Trilayers
X -ray scattering
Compositional study of δ-NbN film by Auger electron microscopy
期刊论文
TUNGSTEN, 2023, 卷号: 5, 期号: 1, 页码: 130-135
作者:
Chen, Zhao-Xi
;
Dong, Peng
;
Zhang, Yi-Wen
;
Jiang, Yi-Lan
;
Ding, Yi-Fan
Adobe PDF(1334Kb)
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浏览/下载：596/2
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提交时间：2022/06/10
Augers
Crystallinity
Morphology
Niobium compounds
Silica
Stoichiometry
Superconducting films
Superconducting transition temperature
Surface morphology
Thin films
X ray diffraction
Atomic-force-microscopy
Auger electron microscopy
Auger-electron spectroscopy
Chemical stoichiometry
Compositional studies
Depth-profile
Magnetron-sputtering
NbN thin film
Si substrates
Surface oxidations
Efficient heterogeneous integration of InP/Si and GaSb/Si templates with ultra-smooth surfaces
期刊论文
SCIENCE CHINA INFORMATION SCIENCES, 2022, 卷号: 65, 期号: 8
作者:
Jin, Tingting
;
Lin, Jiajie
;
You, Tiangui
;
Zhang, Xiaolei
;
Liang, Hao
Adobe PDF(2696Kb)
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提交时间：2022/07/25
Chemical mechanical polishing
Etching
Gallium compounds
III-V semiconductors
Infrared devices
Integration
Molecular beam epitaxy
Optoelectronic devices
Semiconducting indium phosphide
Silicon
Substrates
Chemical etching
Gasb/si
Heterogeneous integration
InP/si
Ion slicing
Ion-slicing technique
Molecular-beam epitaxy
Sacrificial layer
Selective chemical etching
Si substrates
A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 期号: 15, 页码: 159214
作者:
Zhang, Yu
;
Liu, Chao
;
Zhu, Min
;
Zhang, Yuliang
;
Zou, Xinbo
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提交时间：2021/12/03
Energy gap
III
V semiconductors
Light emitting diodes
Schottky barrier diodes
Silicon
Substrates
Barrier diodes
Design technologies
Device design
Lightemitting diode
Optoelectronic applications
PiN diode
Power conversion
Schottky barriers
Si substrates
Two
terminal devices
GaN
Two-terminal devices
SBDs
p-i-n diodes
LEDs
Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 657-660
作者:
Qiang Liu
;
Zhiqiang Mu
;
Chenhe Liu
;
Lantian Zhao
;
Lingli Chen
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提交时间：2021/05/28
Logic gates
Gallium arsenide
Silicon
Substrates
Silicon-on-insulator
Etching
MOSFET
Gate-all-around
void embedded silicon on insulator
suspended Si channels
subthreshold swing
Trap Characterization of InGaN/GaN Blue Light Emitting Diode Grown on Si Substrate
会议论文
ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE (ACP 2021), Shanghai, China, October 24, 2021 - October 27, 2021
作者:
Jiaxiang Chen
;
Haolan Qu
;
Longheng Qi
;
Yaying Liu
;
Xu Zhang
Adobe PDF(477Kb)
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提交时间：2022/07/01
III-V semiconductors
Blue LEDs
Blue light emitting diodes
Deep hole trap
Emission process
Enhanced Emission
InGaN/GaN
Si substrates
Thermal
Time-resolved
Quantum Dot Avalanche Photodetector on Si Substrate
会议论文
2020 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), San Jose, CA, MAY 10-15, 2020
作者:
Baile Chen
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Yating Wan
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Zhiyang Xie
;
Jian Huang
;
Chen Shang
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提交时间：2021/04/01
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