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The Microscopic Mechanisms of Nonlinear Rectification on Si-MOSFETs Terahertz Detector 期刊论文
SENSORS, 2023, 卷号: 23, 期号: 12
作者:  Wei, Yingdong;  Yao, Chenyu;  Han, Li;  Zhang, Libo;  Chen, Zhiqingzi
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Silicon Phosphorus Process Uniformity Improvement Study in Advanced Node 会议论文
2022 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE, CSTIC 2022, Shanghai, China, June 20, 2022 - June 21, 2022
作者:  Huojin Tu;  Hui Wang;  Li Peng;  Jiaqi Hong
Adobe PDF(3557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：259/0  |  提交时间：2022/09/30
Gate-All-Around MOSFET Built on Void Embedded Silicon on Insulator Substrate 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 657-660
作者:  Qiang Liu;  Zhiqiang Mu;  Chenhe Liu;  Lantian Zhao;  Lingli Chen
Adobe PDF(5336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：309/0  |  提交时间：2021/05/28
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