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研究单元&专题
信息科学与技术学院 [1]
作者
张笑铭 [1]
文献类型
会议论文 [1]
发表日期
2022 [1]
出处
2022 CHINA... [1]
语种
英语 [1]
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收录类别
EI [1]
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Improve the On-Resistance for 80V NLDMOS with STI Technology in 0.18 UM BCD Process
会议论文
2022 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE, CSTIC 2022, Shanghai, China, June 20, 2022 - June 21, 2022
作者:
Xiaoming Zhang
;
Donghua Liu
;
Haiyang Ling
;
Wensheng Qian
Adobe PDF(3354Kb)
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浏览/下载：223/0
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提交时间：2022/09/30
BCD process
Condition
High frequency HF
High-voltages
Low currents
On-resistance
Power applications
Save energy
SIMPLE method
Specific-on-resistance
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