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AlScN Ferroelectric Diode Enabled CAM with 4F2 Cell Size and Low Thermal Budget (330 °C) 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2025, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 568-571
作者:  Wenxin Sun;  Xiao Kou;  Jiuren Zhou;  Siying Zheng;  Jiawei Li
Adobe PDF(1473Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：87/2  |  提交时间：2025/02/12
Nonlinear Characteristics Analysis of GaN p-i-n Diodes at Room and Low Temperature 会议论文
2024 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE WORKSHOP SERIES ON ADVANCED MATERIALS AND PROCESSES FOR RF AND THZ APPLICATIONS (IMWS-AMP), Nanjing, China, 9-11 Nov. 2024
作者:  Junyuan Hu;  Yonghao Jia;  Xinbo Zou;  Wei-Bing Lu
Adobe PDF(839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2025/04/28
Optimal Design of Heterojunction AIGaAs/GaAs PIN Diode Millimeter-Wave Switch and Its Imaging Application 期刊论文
激光与光电子学进展, 2021, 卷号: 58, 期号: 22
作者:  Wang Zeyu;  Li Chenchen;  Gao YiQiang;  Sun Hao;  Yang Minghui
Adobe PDF(1693Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：185/0  |  提交时间：2022/11/08
A review on GaN-based two-terminal devices grown on Si substrates 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 869, 期号: 15, 页码: 159214
作者:  Zhang, Yu;  Liu, Chao;  Zhu, Min;  Zhang, Yuliang;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(36302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：333/0  |  提交时间：2021/12/03
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