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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT 期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:  Yitai zhu;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu;  Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：73/1  |  提交时间：2025/03/07
Neutral Beam Etching Enabled Recessed-Gate Emode GaN MOSHEMT: A Multi-Vth Power Device Platform for All-GaN Monolithic Integration 会议论文
INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS
作者:  Han Gao;  Yitian Gu;  Yudong Li;  Xuanling Zhou;  Haodong Jiang
Adobe PDF(1101Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：72/4  |  提交时间：2025/03/03
1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2025, 卷号: PP, 期号: 99
作者:  Wenbo Ye;  Junmin Zhou;  Han Gao;  Haowen Guo;  Yitian Gu
Adobe PDF(1674Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：75/4  |  提交时间：2025/02/12
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