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GaN-based resonant-cavity light-emitting diode towards a vertical-cavity surface-emitting laser
期刊论文
IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2024, 卷号: PP, 期号: 99
作者:
Chuanjie Li
;
Meixin Feng
;
Jiaqi Liu
;
Wei Liu
;
Xiujian Sun
Adobe PDF(1765Kb)
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浏览/下载:238/1
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提交时间:2024/09/30
DBR lasers
Distributed Bragg reflectors
Injection lasers
Light emitting diodes
Microcavities
Surface emitting lasers
Central wavelength
Distributed-bragg-reflectors
Full widths at half maximums
GaN based
Injection conditions
Nanoporous GaN
Resonant cavity LED
Resonant-cavity light-emitting diodes
Space charge layers
Vertical-cavity surface emitting laser
Modeling of Hot Carrier Injection on Gate-Induced Drain Leakage in PDSOI nMOSFET
会议论文
2021 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUITS, TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, ICTA 2021, Zhuhai, China, November 24, 2021 - November 26, 2021
作者:
Qian, Yijun
;
Gao, Yuan
;
Shukla, Amit Kumar
;
Wu, Tao
;
Wei, Xing
Adobe PDF(2430Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:391/1
|
提交时间:2022/07/01
Drain current
MOSFET devices
Silicon on insulator technology
Threshold voltage
Condition
Gate induced drain leakage currents
Gate induced drain leakages
Hot carrier injection
Injection conditions
Interface traps
nMOSFETs
Silicon on insulator
Stress time
Tunneling
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