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Significant effect of thin oxide layer on characteristics of p-InGaN/GaN nonalloyed ohmic contacts 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2023, 卷号: 134, 期号: 5
作者:  Fan Zhang;  Rongxin Wang;  Fangzhi Li;  Aiqin Tian;  Jianping Liu
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Trap Characterization of InGaN/GaN Blue Light Emitting Diode Grown on Si Substrate 会议论文
ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE (ACP 2021), Shanghai, China, October 24, 2021 - October 27, 2021
作者:  Jiaxiang Chen;  Haolan Qu;  Longheng Qi;  Yaying Liu;  Xu Zhang
Adobe PDF(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：253/1  |  提交时间：2022/07/01
背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟 期刊论文
半导体光电, 2017, 卷号: 38, 期号: 04, 页码: 498-501
作者:  黄波;  许金通
Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：181/0  |  提交时间：2022/12/14
Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector 期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 49, 期号: 4
作者:  
Adobe PDF(987Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1424/461  |  提交时间：2017/07/04
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