×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
统一认证登录
登录
中文版
|
English
上海科技大学知识管理系统
ShanghaiTech University Knowledge Management System
统一认证登录
登录
注册
ALL
ORCID
题名
作者
发表日期
关键词
文献类型
DOI
出处
存缴日期
收录类别
出版者
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
知识整合
学习讨论厅
在结果中检索
研究单元&专题
物质科学与技术学院 [13]
信息科学与技术学院 [12]
作者
陈佰乐 [9]
郝修军 [8]
邓卓 [6]
黄健 [5]
李萌 [5]
杨辉 [2]
更多...
文献类型
期刊论文 [16]
会议论文 [3]
发表日期
2025 [1]
2023 [3]
2022 [3]
2021 [3]
2020 [3]
2019 [5]
更多...
出处
IEEE PHOTO... [2]
INFRARED P... [2]
SEMICONDUC... [2]
红外与毫米波学报 [2]
2018 ASIA ... [1]
2019 ASIA ... [1]
更多...
语种
英语 [15]
中文 [1]
资助项目
National N... [2]
Chinese Ac... [1]
National K... [1]
National N... [1]
Natural Sc... [1]
Natural Sc... [1]
更多...
资助机构
收录类别
EI [15]
SCI [13]
SCIE [12]
CPCI [2]
CPCI-S [2]
ESCI [1]
更多...
状态
已发表 [18]
正式接收 [1]
×
知识图谱
KMS
反馈留言
浏览/检索结果:
共19条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
发表日期升序
发表日期降序
InAs/GaSbⅡ类超晶格电学特性研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2025
作者:
向泰毅
Microsoft Word(2303Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:38/0
|
提交时间:2025/03/19
分子束外延
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
霍尔效应
x射线衍射
Interfacial characterization of InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD at different growth temperatures
期刊论文
MICRO AND NANOSTRUCTURES, 2023, 卷号: 180
作者:
Li, Meng
;
Zhu, Hong
;
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(6082Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:435/0
|
提交时间:2023/06/02
Antimony compounds
Gallium arsenide
Growth temperature
III-V semiconductors
Indium antimonides
Indium arsenide
Semiconducting gallium
Transmission electron microscopy
High-angle annular dark fields
High-angle annular dark-field imaging
InAs/GaSb superlattices
Interfacial characterization
Interfacial qualities
Interfacial structures
Metal-organic chemical vapour depositions
Scanning transmission electron microscopes
Strain-balanced
Structure features
Mid-Wave Infrared High-Speed InAs/GaSb Superlattice Uni-Traveling Carrier Photodetector
会议论文
2023 OPTO-ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS CONFERENCE (OECC), Shanghai, China, 2-6 July 2023
作者:
Zhijian Shen
;
Jinshan Yao
;
Hong Lu
;
Baile Chen
Adobe PDF(494Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:209/1
|
提交时间:2023/10/07
Mid-wave infrared photodetector
high-speed photodetector
InAs/GaSb type-II superlattice
uni-traveling carrier photodiode
High-Speed Mid-Wave Infrared Uni-Traveling Carrier Photodetector with Inductive Peaked Dewar Packaging
期刊论文
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2023, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-8
作者:
Zhijian Shen
;
Jinshan Yao
;
Jian Huang
;
Zhecheng Dai
;
Luyu Wang
Adobe PDF(1149Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:304/3
|
提交时间:2023/10/16
Mid-wave infrared high-speed photodetector
uni-traveling carrier photodiode
InAs/GaSb type-II superlattice
dewar packaging
inductive peaking
bonding wires
Long-wavelength InAs/GaSb superlattice double heterojunction infrared detectors using InPSb/InAs superlattice hole barrier
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 37, 期号: 5
作者:
Liu, Jiafeng
;
Zhu, He
;
Zhu, Hong
;
Li, Meng
;
Huai, Yunlong
Adobe PDF(1708Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:209/0
|
提交时间:2022/05/05
InAs
GaSb superlattice
double heterojunction
metal-organic chemical vapor deposition
long-wavelength infrared
Tuning the optical response of long-wavelength InAs/GaSb Type-II superlattices infrared focal plane arrays with multi-coatings
期刊论文
红外与毫米波学报, 2022, 卷号: 41, 期号: 1, 页码: 248-252
作者:
Shi, Rui
;
Zhou, Jian
Adobe PDF(965Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:272/0
|
提交时间:2022/03/25
Antimony compounds
II-VI semiconductors
III-V semiconductors
Indium antimonides
Zinc coatings
Cutoff wavelengths
Focal-plane arrays
Germaniums (Ge)
InAs/GaSb
Long wavelength
Multi coating
Optical response
Tunable response
Tunables
Type-II superlattices
High-operating-temperature MWIR photodetector based on a InAs/GaSb superlattice grown by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2022, 卷号: 43, 期号: 1
作者:
Hao, Xiujun
;
Teng, Yan
;
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Zhu, Hong
Adobe PDF(458Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:375/0
|
提交时间:2022/02/13
Aluminum
Antimony compounds
Gallium compounds
Heterojunctions
III-V semiconductors
Indium antimonides
Indium arsenide
Infrared radiation
Lattice mismatch
Organic chemicals
Organometallics
Photodetectors
Photons
Temperature
Aluminum-free
Cutoff wavelengths
High operating temperature
High resolution xray diffraction (XRD)
High-crystalline quality
InAs/GaSb superlattices
Infrared photodetector
Metal-organic chemical vapour depositions
MWIR
Operating temperature
High Operating Temperature InAs/GaSb Superlattice Based Mid Wavelength Infrared Photodetectors Grown by MOCVD
期刊论文
PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 12
作者:
Zhu, He
;
Liu, Jiafeng
;
Zhu, Hong
;
Huai, Yunlong
;
Li, Meng
Adobe PDF(2855Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:659/262
|
提交时间:2022/01/18
high operating temperature
mid-wavelength infrared
aluminum-free
inas/gasb superlattice
metal
-
organic chemical vapor deposition
Long-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Detectors With Low Dark Current Density Grown by MOCVD
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2021, 卷号: 33, 期号: 9
作者:
He Zhu
;
Xiujun Hao
;
Yan Teng
;
Jiafeng Liu
;
Hong Zhu
Adobe PDF(683Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:318/7
|
提交时间:2021/05/10
InAs/GaSb superlattice
long-wavelength infrared
device physics
metal-organic chemical vapor deposition
Demonstration of MOCVD-Grown Long-Wavelength Infrared InAs/GaSb Superlattice Focal Plane Array
期刊论文
IEEE ACCESS, 2021, 卷号: 9
作者:
Yan Teng
;
Xiujun Hao
;
Hong Zhu
;
He Zhu
;
Jiafeng Liu
Adobe PDF(6711Kb)
|
收藏
|
浏览/下载:555/10
|
提交时间:2021/05/10
Long-wavelength infrared
InAs/GaSb superlattice
focal plane array
metalorganic chemical vapor deposition
首页
上一页
1
2
下一页
末页