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龚谦 [2]
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Effect of As2 flux on the growth of InAs/InGaAs dot-in-well structure by molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2025, 卷号: 663
作者:
Liu, Ruo-Tao
;
Wang, Kun
;
Wu, Jian-Chu
;
Yang, Chen
;
Huang, Hua
Adobe PDF(5150Kb)
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提交时间:2025/05/06
InAs quantum dot
Dot-in-well structure
Arsenic flux
Molecular beam epitaxy
The impact of
P
-type doping level and profile on performance of InAs quantum dot lasers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2024, 卷号: 136, 期号: 22
作者:
Liu, Ruo-Tao
;
Du, An-Tian
;
Cao, Chun-Fang
;
Yang, Jin
;
Wu, Jian-Chu
Adobe PDF(3215Kb)
|
收藏
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浏览/下载:234/4
|
提交时间:2024/12/23
Aluminum arsenide
Continuous wave lasers
Gallium arsenide
Gallium phosphide
Indium antimonides
Indium arsenide
Indium phosphide
Nanocrystals
Photonic integrated circuits
Photonic integration technology
Q switched lasers
Quantum dot lasers
Semiconducting indium phosphide
Semiconductor doping
Semiconductor quantum dots
System-on-chip
Threshold current density
Device performance
Doping levels
Doping profiles
InAs quantum dots
Output power
P-type doping
Performance
Quantum-dot lasers
Slope efficiencies
Threshold-current density
Temperature and Optical Feedback Sensitivity of the Relative Intensity Noise of Epitaxial Quantum Dot Lasers on Ge
会议论文
2018 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS PACIFIC RIM, CLEO-PR 2018, No. 1 Expo Drive, Wanchai, Hong kong, July 29, 2018 - August 3, 2018
作者:
Yue-Guang Zhou
;
Chun-Fang Cao
;
Jin-Yi Yan
;
Qian Gong
;
Cheng Wang
Adobe PDF(645Kb)
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提交时间:2022/12/09
Germanium compounds
Nanocrystals
Semiconductor quantum dots
III-V semiconductors
Indium arsenide
Feedback sensitivity
InAs quantum dots
Relative intensity noise
Laser feedback
Quantum dot lasers
Pump lasers
Optical feedback
Epitaxial growth
Laser excitation
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