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物质科学与技术学院 [2]
信息科学与技术学院 [1]
作者
王腾 [1]
黄逸凡 [1]
卢扬 [1]
张笑铭 [1]
文献类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2022 [3]
出处
2022 CHINA... [1]
PHYSICAL R... [1]
PHYSICAL R... [1]
语种
英语 [3]
资助项目
Hunan Prov... [1]
National N... [1]
National N... [1]
资助机构
收录类别
EI [3]
SCI [2]
SCIE [2]
状态
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Universal relation between doping content and normal-state resistance in gate voltage tuned ultrathin Bi2Sr2CaCu2 O8+x flakes
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2022, 卷号: 106, 期号: 10
作者:
Wang, Teng
;
Yu, Aobo
;
Liu, Yixin
;
Gu, Genda
;
Peng, Wei
Adobe PDF(751Kb)
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浏览/下载:297/0
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提交时间:2022/10/14
Binary alloys
Copper compounds
Phase transitions
Quantum theory
Superconducting materials
Ternary alloys
Threshold voltage
Doping content
Electronic phase diagram
Fixed temperature
Gate voltages
High-Tc cuprates
Normal-state resistance
Precise determinations
Superconductor insulator transitions
Ultra-thin
Voltage-tunable
Comprehensive Modulation of Conductance Anisotropy in Low-Symmetry Re S2 Transistors
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2022, 卷号: 17, 期号: 4
作者:
Wang, Zhongwang
;
Liu, Xiaochi
;
Lei, Huixia
;
Lu, Yang
;
Yuan, Yahua
Adobe PDF(4848Kb)
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浏览/下载:316/0
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提交时间:2022/05/13
Degrees of freedom (mechanics)
Modulation
Polarization
Rhenium compounds
Sulfur compounds
Temperature distribution
Thermionic emission
Anisotropic distribution
Device design
Effective mass
Electrical conductance
Electrical modulation
Gate voltages
Polarization direction
Temperature dependence
Two-dimensional materials
Study of the Degradation in LDMOS with STI Technology and Improve the Reliability with Several Methods
会议论文
2022 CHINA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INTERNATIONAL CONFERENCE, CSTIC 2022, Shanghai, China, June 20, 2022 - June 21, 2022
作者:
Xiaoming Zhang
;
Donghua Liu
;
Wensheng Qian
Adobe PDF(2459Kb)
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浏览/下载:299/0
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提交时间:2022/09/30
Electronic design automation
Integrated circuits
MOS devices
Degradation model
Drain voltage
Electronic simulation
Gate drain
Gate voltages
Hot carrier stress
Lateral double diffused mos (LDMOS)
Mechanism of degradation
Technology nodes
Voltage stress
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