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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT 期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:  Yitai zhu;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu;  Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：81/1  |  提交时间：2025/03/07
Small $\textit{V}_{\text{th}}$ Shift and Low Dynamic $\textit{R}_{\textsc{on}}$ in GaN MOSHEMT With ZrO $_{\text{2}}$ Gate Dielectric 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 5590-5595
作者:  Yu Zhang;  Yitian Gu;  Jiaxiang Chen;  Yitai Zhu;  Baile Chen
Adobe PDF(1973Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：200/1  |  提交时间：2023/10/07
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