消息
×
loading..
中文版 | English

在结果中检索

KMS

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT 期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:  Yitai zhu;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu;  Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：87/1  |  提交时间：2025/03/07
Trapping mechanism transition of γ-ray irradiation on p-GaN gate stack on gate applying voltage swing 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2024, 卷号: 125, 期号: 13
作者:  Zhu, Junyan;  Ding, Jihong;  Ouyang, Keqing;  Zou, Xinbo;  Ma, Hongping
Adobe PDF(2565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：270/1  |  提交时间：2024/10/08
Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 卷号: 69, 期号: 11
作者:  Qian, Yijun;  Gao, Yuan;  Shukla, Amit Kumar;  Sun, Lu;  Zou, Xinbo
Adobe PDF(3370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：534/1  |  提交时间：2022/10/08
  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 下一页
  • 末页