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Dynamic Characteristics of Neutral Beam Etching Enabled Normally-off Recessed-gate GaN MOSHEMT 期刊论文
POWER ELECTRONIC DEVICES AND COMPONENTS, 2025, 卷号: 11
作者:  Yitai zhu;  Haitao Du;  Yu Zhang;  Haolan Qu;  Haodong Jiang
Microsoft Word(2182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：67/1  |  提交时间：2025/03/07
Suppressed current collapse and improved threshold voltage stability of AlGaN/GaN HEMT via O2 plasma treatment 期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2024, 卷号: 148
作者:  Zhu, Yitai;  Zhang, Yu;  Qu, Haolan;  Gao, Han;  Du, Haitao
Adobe PDF(4805Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/3  |  提交时间：2024/06/11
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:  Yu Zhang;  Renqiang Zhu;  Haolan Qu;  Yitian Gu;  Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：290/0  |  提交时间：2024/06/11
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