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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Dynamic Reliability Assessment of Vertical GaN Trench MOSFETs With Thick Bottom Dielectric
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2024, 卷号: PP, 期号: 99, 页码: 1-1
作者:
Yu Zhang
;
Renqiang Zhu
;
Haolan Qu
;
Yitian Gu
;
Huaxing Jiang
Adobe PDF(1470Kb)
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收藏
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浏览/下载:291/0
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提交时间:2024/06/11
Activation energy
Deep level transient spectroscopy
Dielectric materials
Drain current
Electric fields
Gallium nitride
High electron mobility transistors
III-V semiconductors
MOSFET devices
Stability
Threshold voltage
Current collapse
Dynamic reliability assessment
Dynamics characteristic
Dynamics stability
MOS-FET
MOSFETs
Reference devices
Time resolved measurement
Trench MOSFET
Vertical trench MOSFET
Analysis of Abnormal GIDL Current Degradation Under Hot Carrier Stress in DSOI-MOSFETs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 卷号: 69, 期号: 11
作者:
Qian, Yijun
;
Gao, Yuan
;
Shukla, Amit Kumar
;
Sun, Lu
;
Zou, Xinbo
Adobe PDF(3370Kb)
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收藏
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浏览/下载:517/1
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提交时间:2022/10/08
Stress
Logic gates
MOSFET
Electron traps
Degradation
Hot carriers
Market research
Gate-induced drain leakage (GIDL) current
hot carrier stress (HCS)
parasitic bipolar transistor (PBT)
Modeling of Hot Carrier Injection on Gate-Induced Drain Leakage in PDSOI nMOSFET
会议论文
2021 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUITS, TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, ICTA 2021, Zhuhai, China, November 24, 2021 - November 26, 2021
作者:
Qian, Yijun
;
Gao, Yuan
;
Shukla, Amit Kumar
;
Wu, Tao
;
Wei, Xing
Adobe PDF(2430Kb)
|
收藏
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浏览/下载:392/1
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提交时间:2022/07/01
Drain current
MOSFET devices
Silicon on insulator technology
Threshold voltage
Condition
Gate induced drain leakage currents
Gate induced drain leakages
Hot carrier injection
Injection conditions
Interface traps
nMOSFETs
Silicon on insulator
Stress time
Tunneling
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